[发明专利]一种监测结构及包括监测结构的掩膜版及其使用方法

权利要求书

1.一种用于监测半导体光刻工艺的监测结构，其特征在于，所述监测结构的图案包括以下任多项：

-1个或多个关键尺寸条，

-1个或多个对准标记，

所述监测结构的图案宽度小于等于切割道切割区域的宽度。

2.如权利要求1所述的结构，其特征在于：所述关键尺寸条和所述对准标记按照竖直方向排列。

3.如权利要求1或2所述的结构，其特征在于：所述监测结构的宽度小于等于切割道切割区域的宽度。

4.一种掩膜版，其特征在于：所述掩膜版包括一个或多个如权利要求1至3任一项所述的监测结构。

5.一种监测结构的使用方法，其特征在于包括如下步骤：

c.切割掉复制在晶片上的如权利要求1至3任一项所述的监测结构。

6.如权利要求5所述的使用方法，其特征在于，在所述步骤b之前还包括：

a.将监测结构设置在掩膜版上；

b.通过曝光工艺将所述监测结构复制到晶片上；

其中，所述步骤c为：

待完成监测后，切割掉复制在晶片上的所述监测结构，其中切割道切割区域覆盖所述监测结构。