[发明专利]一种可提高两相邻N阱间击穿电压的方法有效
| 申请号： | 200810033362.5 | 申请日： | 2008-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN101499436A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 朱宝富;施雪捷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/265;H01L27/04 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 相邻 击穿 电压 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种可提高两相邻N阱间击穿电压的方法，该两相邻N阱制作在硅衬底中且该两相邻N阱间具有一浅沟槽隔离结构，该两相邻N阱的深度深于该浅沟槽隔离结构，该两相邻N阱被一设置在浅沟槽隔离结构下的上层隔离P阱隔开，其特征在于，该方法通过离子注入工艺在该上层隔离P阱下形成一下层隔离P阱，该离子注入工艺的注入杂质为硼离子，注入能量范围为800至850千电子伏，注入剂量为5×1012离子/平方厘米；该上层隔离P阱通过硼离子注入工艺制成，其注入能量范围为25至170千电子伏，注入剂量范围为4.4×1012至1.5×1013/平方厘米。
2.如权利要求1所述的可提高两相邻N阱间击穿电压的方法，其特征在于，该下层隔离P阱的硼离子浓度的数量级为1017/立方厘米。
3.如权利要求1所述的可提高两相邻N阱间击穿电压的方法，其特征在于，该上层隔离P阱的硼离子浓度的数量级为1017/立方厘米。
4.如权利要求1所述的可提高两相邻N阱间击穿电压的方法，其特征在于，该硅衬底为P型硅衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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