[发明专利]一种降低碲镉汞光伏器件离子注入损伤影响的方法

权利要求书

1.一种降低碲镉汞光伏器件离子注入损伤影响的方法，它采用氢离子对器件进行表面钝化处理，其特征在于：在进行氢离子表面钝化处理时，器件表面有一层保护P型区的光刻胶层(106)。

2.根据权利要求1所述的一种降低碲镉汞光伏器件离子注入损伤影响的方法，其特征在于：所说的光刻胶层(106)上的氢离子钝化处理区域大小的最佳工艺参数的确定方法如下：

A.在进行器件制备的同时准备一片工艺试验陪片；

B.在工艺试验陪片的P型区的光刻胶层(106)上光刻出6种不同大小的氢离子钝化处理区域窗口(201)至(206)，其中钝化处理区域窗口(201)大小与离子注入区域大小(104)相同，后续窗口(202)至窗口(205)的尺寸逐渐增大，其增量为1至5微米；

C.陪片上的器件制备完成后对不同氢离子处理面积的器件进行电流-电压性能测试，从中找出最佳电性能的器件，将该器件的处理窗口大小值确定为本工艺流程的最佳工艺参数。