[发明专利]一种低启动电流的欠压保护电路

权利要求书

1.一种低启动电流欠压保护电路，其特征在于，包括：

一电源，一输入电源电压检测器，一放大器，一触发器和一缓冲器，所述电源的输出 端连接所述输入电源电压检测器的输入端，所述输入电源电压检测器的输出端连接所 述放大器的输入端，所述放大器的输出端连接所述触发器的输入端，所述触发器的输 出端连接所述缓冲器；其中，

所述缓冲器包括两级反相器；

所述电源电压检测器进一步包括若干二极管、一电阻和一PMOS晶体管，其中， 第一二极管的阴极直接与电源输入端相连，第一二极管的阳极连接到第二二极管的阴 极和电阻的第二端，第二二极管的阳极连接到第三二极管的阴极，第三二极管的阳极 连接到所述放大器的输入端，所述PMOS晶体管的源极连接到所述电源输入端，其栅 极连接到所述缓冲器中第二级反相器的输出端，其漏极连接到所述电阻的第一端。

2.根据权利要求1所述的低启动电流欠压保护电路，其特征在于，

所述三个二极管是齐纳二极管。

3.根据权利要求1所述的低启动电流欠压保护电路，其特征在于，

所述放大器由六个PMOS晶体管、两个NMOS晶体管、两个电阻和一电容组成，其 中，第一NMOS晶体管的源极与第三二极管的阳极相连，作为所述放大器的输入端， 并经由第一电阻连接到地，第一NMOS晶体管的漏极作为所述放大器的输出端，与所 述电容第一端相连，并与第一PMOS晶体管的漏极相连，所述电容的第二端连结到地， 第二NMOS晶体管为所述放大器偏置电路的一部分，其源极经由第二电阻连接到地， 其漏极连接第二PMOS晶体管的漏极，第一NMOS晶体管的栅极与第二NMOS晶体管的 栅极连接在一起，第二PMOS晶体管的栅极和漏极连接在一起，第一、第二两个PMOS 栅极连接在一起，源极分别连接到第三和第四PMOS晶体管的漏极，第三、第四PMOS 晶体管的栅极连接在一起并连接到第六PMOS晶体管的栅极组成电流镜结构，第三、 四、六PMOS晶体管的源极都连接至电源输入线，第五PMOS晶体管的源极连接到第六 PMOS晶体管的栅极和漏极，其漏极连接到第二PMOS晶体管的源极，其栅极连接到所 述缓冲器第一级反相器输出，所述放大器的输出端连接到所述触发器的输入端。

4.根据权利要求3所述的低启动电流欠压保护电路，其特征在于，所述欠压保 护电路进一步包括：

一稳恒电流产生电路，所述稳恒电流产生电路包括两个电阻、两个NMOS晶体管、 四个PMOS晶体管和一电容，其中所述稳恒电流产生电路的第一NMOS晶体管和第一电 阻分别由所述放大器的第二NMOS晶体管和第二电阻构成，所述放大器的第二NMOS晶 体管的栅极与所述放大器的第一NMOS晶体管的栅极相连，源极通过所述放大器的第 二电阻连接到地，漏极连接到所述稳恒电流产生电路的第一PMOS晶体管的漏极，所 述稳恒电流产生电路的第一、二、三、四PMOS晶体管分别为所述放大器的第二、四、 五、六PMOS晶体管，所述稳恒电流产生电路的电容一端连接到所述放大器的第一、 二NMOS晶体管的栅极，另一端连接到地。

5.根据权利要求1所述的低启动电流欠压保护电路，其特征在于，所述触发器 是一施密特触发器，以接收所述放大器的输出信号。