[发明专利]一种多晶栅的生长方法有效
| 申请号： | 200810033813.5 | 申请日： | 2008-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN101515544A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 何有丰;朴松源;白杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/20;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1. 一种多晶栅的生长方法，它是在具有一定真空度的密封反应室内，在一定温度条件下，利用硅化合物的反应物来沉积多晶栅，其特征在于，它包括以下步骤：
步骤1：在所述密封反应室真空度为0.08～1托，温度为520～570摄氏度下，控制所述硅化合物的反应物流速在100～700标况毫升每分下，生长非晶态硅栅；
步骤2：充入退火惰性气体，在退火温度为700～850摄氏度和退火时间为10～30分钟的退火条件下对步骤1中生长出的非晶态硅栅进行退火，将非晶态硅栅转化成多晶硅栅。
2. 如权利要求1所述的多晶栅的生长方法，其特征在于，所述惰性退火气体为氮气。
3. 如权利要求2所述的多晶栅的生长方法，其特征在于，所述氮气的流量为5～30标况升每分。
4. 如权利要求1所述的多晶栅的生长方法，其特征在于，所述硅化合物的反应物为硅烷。
5. 如权利要求1所述的多晶栅的生长方法，其特征在于，所述步骤1中反应室的真空度为0.6托，温度为545摄氏度，硅化合物的反应物流速为350标况毫升每分。
6. 如权利要求1所述的多晶栅的生长方法，其特征在于，所述步骤2中退火温度为800摄氏度，退火时间为10分钟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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