[发明专利]一种提高质量的镶嵌结构制作方法无效
申请号: | 200810033815.4 | 申请日: | 2008-02-22 |
公开(公告)号: | CN101515561A | 公开(公告)日: | 2009-08-26 |
发明(设计)人: | 李健 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人: | 屈 蘅;李时云 |
地址: | 2012*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 质量 镶嵌 结构 制作方法 | ||
1、一种可提高质量的镶嵌结构制作方法,包括以下步骤:a、提供一硅衬底,其上制作有层间介质层;b、在该层间介质层上沉积金属间介质层;c、通过光刻和刻蚀工艺在该金属间介质层上形成用于容置镶嵌结构的容置凹槽;d、在该容置凹槽槽壁上制作扩散阻挡层;e、在该容置凹槽中填充金属铜;f、通过铜化学机械抛光工艺形成镶嵌结构;其特征在于,该方法在步骤b和c间还进行一化学机械抛光步骤以平坦该金属间介质层。
2、如权利要求1所述的可提高质量的镶嵌结构制作方法,其特征在于,该层间介质层为氮化硅。
3、如权利要求1所述的可提高质量的镶嵌结构制作方法,其特征在于,该金属间介质层为二氧化硅或掺杂有硼、磷或氟元素的二氧化硅。
4、如权利要求1所述的可提高质量的镶嵌结构制作方法,其特征在于,该扩散阻挡层为上下层叠的氮化钽和钽。
5、如权利要求1所述的可提高质量的镶嵌结构制作方法,其特征在于,在步骤e中,通过电镀工艺在该容置凹槽中填充金属铜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造