[发明专利]三价铈离子掺杂的稀土硅酸盐多晶料及制备方法

权利要求书

1、三价铈离子掺杂的稀土硅酸盐多晶料，其特征在于：

(1)所述的稀土硅酸盐为硅酸镥、硅酸钇或硅酸镥钇；

(2)掺杂的三价铈化合物的克分子百分数为0.2—2％；掺杂后所述的 稀土硅酸盐的通式为Ln_2(1-x)Ce_2xSiO₃，式中x＝0.002—0.02，Ln为和Lu 中的一种或两种。

2、按权利要求1所述的三价铈离子掺杂的稀土硅酸盐多晶料，其特征在 于所述的掺杂的三价铈化合物为Ce₂(CO₃)₃、Ce(NO₃)₃、Ce₂(C₂O₄)₃、 Ce(CH₃COO)₃或Ce(OH)₃。

3、制备如权利要求1所述的三价铈离子掺杂的稀土硅酸盐多晶料的方 法，其特征在于采用下述两种方法中任意一种，具体步骤是：

方法A：直接合成多晶料

(1)按权利要求1所述的通式分别称取三价铈化合物、SiO₂、Lu₂O₃和 Y₂O₃中的一种或两种；

(2)直接球磨混合；

(3)将步骤2混合后的原料，干压成料饼；

(4)料饼在惰性气体或H₂气氛下，于1100—1400℃反应，获得相应的 多晶料；

方法B：掺杂三价铈化合物经液相混合后制备多晶料

(1)按权利要求1所述的通式分别称取三价铈化合物，Lu₂O₃、Y₂O₃、 SiO₂；

(2)三价铈化合物与Lu₂O₃或Y₂O₃先完全溶于3—8mol/L的硝酸溶液 中，形成混合溶液，然后滴定到PH＝11的氨水中，得到PH＝9的共沉淀， 后经过滤、洗涤并烘干后得到固体粉末，再与SiO₂混合均匀；

(3)步骤2制得的混合原料烘干后，干压成料饼；

(4)料饼在惰性气体后H₂气氛下，于1100—1400℃反应，得到相应的 多晶料。

4、按权利要求3所述的三价铈离子掺杂的稀土硅酸盐多晶料的制备方 法，其特征在于方法A和B中所述的干压成料饼的压力为1—10GPa。

5、按权利要求3所述的三价铈离子掺杂的稀土硅酸盐多晶料的制备方 法，其特征在于方法A和B中的步骤4所述的反应时间为10—30h。

6、按权利要求3所述的三价铈离子掺杂的稀土硅酸盐多晶料的制备方 法，其特征在于方法A和B中的步骤4所述的惰性气体为N₂或Ar。