[发明专利]减小LDD光刻制程中硅凹陷的方法无效
| 申请号： | 200810033973.X | 申请日： | 2008-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN101521154A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 韩宝东;韩秋华;张世谋;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆 嘉 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 减小 ldd 刻制 程中硅 凹陷 方法 | ||
1.一种减小LDD光刻制程中硅凹陷的方法，包括：
在沉积光阻层之前沉积一牺牲性氧化层，该牺牲性氧化层至少覆盖无法被后续的光阻层所覆盖的有源区；
该牺牲性氧化层在LDD光刻制程中进行湿法刻蚀的过程中，防止有源区硅层的损伤；
移除剩余的所述牺牲性氧化层。
2.如权利要求1所述的减小LDD光刻制程中硅凹陷的方法，其特征在于，
剩余的所述牺牲性氧化层使用稀释的HF进行移除。
3.如权利要求1所述的减小LDD光刻制程中硅凹陷的方法，其特征在于，
所述牺牲性氧化层覆盖所有的器件区域。
4.如权利要求1所述的减小LDD光刻制程中硅凹陷的方法，其特征在于，
所述牺牲性氧化层通过原子层沉积形成。
5.一种LDD光刻制程，包括：
沉积一牺牲性氧化层，该牺牲性氧化层至少覆盖无法被后续的光阻层所覆盖的有源区；
沉积光阻层；
进行光刻步骤；
使用干法刻蚀移除所述光阻层；
进行湿法刻蚀，其中该牺牲性氧化层在湿法刻蚀的过程中防止有源区硅层的损伤；
移除剩余的所述牺牲性氧化层。
6.如权利要求5所述的LDD光刻制程，其特征在于，
剩余的所述牺牲性氧化层使用稀释的HF进行移除。
7.如权利要求5所述的LDD光刻制程，其特征在于，
所述牺牲性氧化层覆盖所有的器件区域。
8.如权利要求5所述的LDD光刻制程，其特征在于，
所述牺牲性氧化层通过原子层沉积形成。
9.如权利要求5所述的LDD光刻制程，其特征在于，
所述用于移除所述光阻层的干法刻蚀步骤主要使用O2气体进行。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
