[发明专利]掩模版的修复方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及集成电路制造领域，尤其涉及掩模版的修复方法。

【背景技术】

掩模版是集成电路制造领域中的关键部件之一。常见的掩模版包括透明材质的基底和位于基底表面的遮光层，遮光层通常采用含有金属的材料制成，例如铬或者硅化钼等。集成电路平面工艺中每一个步骤中所需要的图形被制作在遮光层内，通过光刻的方法将遮光层中的图案转移到半导体衬底的表面，在半导体衬底的表面形成特定的图形。

常见的掩模版制造方法，是提供一块初始的掩模版，在初始的掩模版的遮光层表面涂覆一层光刻胶，然后采用电子束曝光或者激光束曝光的方法，将预先设计的图形在光刻胶上曝光并显影，最后刻蚀初始的掩模版的遮光层，形成带有图形的掩模版，可以用于集成电路平面工艺中的光刻步骤。

在掩模版制造的过程中，由于各种不确定因素的影响，比如环境中的灰尘、光刻胶层的质量等，可能导致制作完成的掩模版的掩模图形存在缺陷，与设计的掩模图形之间存在差异。掩模图形存在缺陷的掩模版无法用于光刻，如不能加以修复，则只能报废。掩模版是集成电路工艺中比较昂贵的材料之一，修复存在缺陷的掩模图形的掩模版，可以降低掩模版制造过程中的废品率，有利于降低集成电路制造成本。

聚焦离子束机台修复掩模版的方法是目前比较常见的修复掩模版的方法，该方法通常包括如下步骤：在待修复掩模版表面寻找一个与待修复掩模图形相同且无缺陷的图形，记录该图形表面的三维形貌数据；将此三维形貌数据同待修复掩模图形的数据进行比对，找到待修复图形表面的缺陷；采用离子束修复缺陷，所述修复包括采用离子束轰击除去待修复图形表面突出的部分，或者通过离子束淀积的方法修复图形表面凹陷的部分。这种方法的关键在于需要待修复掩模版表面存在一个与待修复掩模图形相同且无缺陷的图形作为可复制图形。专利号为US6,593,040的美国专利记载了一种采用聚焦离子束机台修复掩模版的方法。

聚焦离子束机台修复掩模版的方法需要待修复的掩模版表面存在一个可复制的掩模图形，然而在实际生产中，可能无法找到一个满足要求的可复制图形去修复存在缺陷的图形，因此需要一种方法，可以在待修复的掩模版表面无可复制掩模图形的情况下修复待修复掩模版。

【发明内容】

本发明所要解决的技术问题是，提供一种掩模版的修复方法，可以在待修复的掩模版表面无可复制掩模图形的情况下修复掩模版。

为了解决上述问题，本发明提供了一种掩模版的修复方法，包括如下步骤：提供待修复掩模版，包括存在缺陷的掩模图形；提供副本掩模版，包括未被刻蚀的遮光层，遮光层的面积大于所述待修复掩模版中存在缺陷的掩模图形的面积；采用副本掩模版制作掩模图形副本；利用掩模图形副本的数据，修复待修复掩模版中存在缺陷的图形。

可选的，所述副本掩模版可以采用报废的掩模版，利用掩模版的边框制作掩模图形副本。

可选的，所述修复待修复掩模版中存在缺陷的掩模图形时，采用的修复设备为聚焦离子束机台。

可选的，所述待修复掩模版和副本掩模版的类型均为相移掩模版。

可选的，所述采用副本掩模版制作掩模图形副本，包括如下步骤：在副本掩模版的遮光层表面涂覆光刻胶；将含有标准掩模图形尺寸数据输入曝光设备；根据标准掩模图形尺寸数据，曝光未被刻蚀的遮光层表面的光刻胶；将曝光后的光刻胶显影；采用显影后的光刻胶作为阻挡层，刻蚀副本掩模版的遮光层。

可选的，所述采用副本掩模版制作掩模图形副本，包括如下步骤：在副本掩模版的遮光层表面涂覆光刻胶；对输入曝光设备的标准掩模图形尺寸数据进行修正；将含有修正后的掩模图形尺寸数据输入曝光设备；根据修正后的掩模图形尺寸数据，曝光空白掩模版遮光层表面涂覆的光刻胶；将曝光后的光刻胶显影；采用显影后的光刻胶作为阻挡层，刻蚀副本掩模版的遮光层。

可选的，所述刻蚀副本掩模版遮光层的方法为干法刻蚀或者湿法刻蚀。

本发明的优点在于，解决了可以在待修复的掩模版表面无可复制掩模图形的情况下修复掩模版的技术问题，并且所采用的副本掩模版只要包括未被刻蚀的遮光层，遮光层的面积大于所述待修复掩模版中存在缺陷的掩模图形的面积即可，甚至可以采用报废的掩模版，利用掩模版四周的边框制作掩模图形副本，因此一块副本掩模版可以反复用于多个不同图形的修复，工艺成本较低。

【附图说明】

附图1为本发明掩模版修复方法的具体实施方式的实施步骤流程图；

附图2为具体实施方式中待修复掩模版剖面结构示意图；

附图3为具体实施方式中副本掩模版剖面结构示意图；