[发明专利]液晶显示装置的阵列基板及其断线修复方法无效
申请号: | 200810034506.9 | 申请日: | 2008-03-12 |
公开(公告)号: | CN101533188A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
发明(设计)人: | 马群刚 | 申请(专利权)人: | 上海广电NEC液晶显示器有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L27/12;G02F1/13 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 薛 琦;朱水平 |
地址: | 201108上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 阵列 及其 断线 修复 方法 | ||
1、一种液晶显示装置的阵列基板,其包括多条数据线、栅极线和公共电极线,其特征在于,每两条公共电极线(C1、C2)形成一公共电极(C),由一公共电极(C)、两条相邻的数据线(D1、D2)和一条栅极线(S1)围成的一像素单元。
2、如权利要求1所述的液晶显示装置的阵列基板,其特征在于,该两条数据线(D1、D2)相互平行排列,该栅极线(S1)与两条数据线(D1、D2)垂直相交,该两条公共电极线(C1、C2)和栅极线(S1)平行且和两条数据线(D1、D2)垂直相交。
3、如权利要求2所述的液晶显示装置的阵列基板,其特征在于,位于公共电极(C)和像素电极(T1)重叠区域中的两条公共电极线(C1、C2)部分相互连接形成一条公共电极线。
4、如权利要求3所述的液晶显示装置的阵列基板,其特征在于,该像素单元包括一像素电极(T1)、一薄膜晶体管以及分别位于该像素电极(T1)与两条数据线(D1、D2)之间的两条遮关条(Z1、Z2)。
5、如权利要求4所述的液晶显示装置的阵列基板,其特征在于,该薄膜晶体管位于栅极线(S1)和数据线(D2)相交处,其包括与数据线(D2)连接的源电极(Ts1)、与栅极线(S1)连接的栅电极(Tg1)、通过一接触孔(K1)与像素电极(T1)连接的一漏电极(Td1)以及位于漏电极(Td1)、源电极(Ts1)与栅电极(Tg1)之间的有源层(A1)。
6、一种具有如权利要求5所述的阵列基板的液晶显示装置,其特征在于,该液晶显示装置为扭曲向列型或者垂直取向型或面内切换型的液晶显示装置。
7、一种对如权利要求5所述的液晶显示装置的阵列基板进行修复的方法,当数据线(D2)发生断线(B1)时,其特征在于,该修复方法包括以下步骤:
步骤1:进行第一次切断操作(Q1)切断发生断线的数据线(D2)外侧的公共电极线(C2);
步骤2:进行第二次切断操作(Q2)切断断线对面的数据线(D1)内侧的公共电极线(C2);
步骤3:进行第三次切断操作(Q3)切断这两条公共电极线(C1、C2)的连接部分;
步骤4:进行第四次切断操作(Q4)在与栅极线(S1)相连的地方切断薄膜晶体管的栅电极(Tg1);
步骤5:在发生断线的数据线(D2)和被切断的公共电极线(C2)相交的地方进行第一次打点处理(H1);
步骤6:在像素电极(T1)和被切断的公共电极线(C2)相重叠的地方进行第二次打点处理(H2);
步骤7:在薄膜晶体管的漏电极(Td1)和被切断的栅电极(Tg1)相交重叠的地方进行第三次打点处理(H3);
步骤8:在薄膜晶体管的源电极(Ts1)和被切断的栅极(Tg1)相交重叠的地方进行第四次打点处理(H4)。
8、如权利要求7所述的修复方法,其特征在于,该第一至第四次切断操作和该第一至第四次打点处理都是通过激光修复设备完成的。
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