[发明专利]基于自由空间耦合技术的电光开关无效
申请号: | 200810034563.7 | 申请日: | 2008-03-13 |
公开(公告)号: | CN101241242A | 公开(公告)日: | 2008-08-13 |
发明(设计)人: | 朱宵辉;邓晓旭;郑湘;吴坚;潘侃凯 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | G02F1/065 | 分类号: | G02F1/065 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 | 代理人: | 王锡麟;王桂忠 |
地址: | 200240*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 自由空间 耦合 技术 电光 开关 | ||
1、一种基于自由空间耦合技术的电光开关,包括:激光器、上层金属膜、中间导波层、下层金属膜和硅片衬底,其特征在于,所述中间导波层的材料为电光有机聚合物,硅片衬底位于最底部,其上附着着下层金属膜,下层金属膜上紧贴着导波层,导波层上附着着上层金属膜,上层金属膜、导波层和下层金属膜组成波导结构,激光器输出的激光束经过聚焦后形成聚焦光束入射到上述波导结构中,上层金属膜和下层金属膜之间有一可调电压。
2、根据权利要求1所述的基于自由空间耦合技术的电光开关,其特征是,所述上层金属膜和下层金属膜,其材料为银、金、铜、铝中的一种,在光频范围内介电常数实部εr≤-8,介电常数虚部εi≤5.0。
3、根据权利要求1或2所述的基于自由空间耦合技术的电光开关,其特征是,所述上层金属膜的厚度在10nm~40nm。
4、根据权利要求1或2所述的基于自由空间耦合技术的电光开关,其特征是,所述下层金属膜厚度大于30nm。
5、根据权利要求1所述的基于自由空间耦合技术的电光开关,其特征是,所述的中间导波层,其介电常数在2.0~3.0之间,电光系数γi3在20~30pm/V,i=1或3,代表TE或TM偏振。
6、根据权利要求1或5所述的基于自由空间耦合技术的电光开关,其特征是,所述中间导波层的厚度在100um~1mm之间
7、根据权利要求1所述的基于自由空间耦合技术的电光开关,其特征是,所述激光器的工作波长为650nm~1550nm。
8、根据权利要求1所述的基于自由空间耦合技术的电光开关,其特征是,所述硅片衬底选择硅片或玻璃片,其厚度大于1mm。
9、根据权利要求1所述的基于自由空间耦合技术的电光开关,其特征是,所述上层金属膜、导波层和下层金属膜组成的波导结构,有机聚合物层的折射率比上层金属膜和下层金属膜的折射率。
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