[发明专利]利用微汽泡喷射沸腾冷却微电子芯片的方法

权利要求书

1、一种利用微汽泡喷射沸腾冷却微电子芯片的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一，通过微加工的方法将微电子芯片固定在硼硅酸玻璃上；

步骤二，通过微加工中的蚀刻工艺，在<100>硅片上蚀刻微通道；

步骤三，通过微加工中的阳极扩散焊工艺，将蚀刻有微通道的硅片和固定有微电子芯片的硼硅酸玻璃键合在一起，形成一端为入口、另一端为出口的具有良好密封性的微通道；

步骤四，提供常温下的水从微通道的入口注入，水和微电子芯片直接接触进行冷却后从通道的出口排出。

2、根据权利要求1所述的利用微汽泡喷射沸腾冷却微电子芯片的方法，其特征是，所述微通道，其通道长度、宽度大于微电子芯片的长度和宽度。

3、根据权利要求1或2所述的利用微汽泡喷射沸腾冷却微电子芯片的方法，其特征是，所述微通道，其通道底部距微电子芯片0.15mm。

4、根据权利要求1或2所述的利用微汽泡喷射沸腾冷却微电子芯片的方法，其特征是，所述微电子芯片位于微通道内部的中间位置。

5、根据权利要求1所述的利用微汽泡喷射沸腾冷却微电子芯片的方法，其特征是，所述水的质量流率和入口温度决定了用微汽泡喷射沸腾技术冷却微电子芯片的临界热流密度，水的质量流率越大、入口温度越低，临界热流密度就越大。

6、根据权利要求1或5所述的利用微汽泡喷射沸腾冷却微电子芯片的方法，其特征是，所述水以恒定质量流率和入口温度注入。

7、根据权利要求1或5所述的利用微汽泡喷射沸腾冷却微电子芯片的方法，其特征是，所述水的入口温度小于或者等于60℃。

8、根据权利要求1或5所述的利用微汽泡喷射沸腾冷却微电子芯片的方法，其特征是，所述水的质量流率大于250kg/m²s。