[发明专利]一种控制掩模版CD值的清洗方法有效
申请号: | 200810035896.1 | 申请日: | 2008-04-10 |
公开(公告)号: | CN101556429A | 公开(公告)日: | 2009-10-14 |
发明(设计)人: | 黄烈敏 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人: | 屈 蘅;李时云 |
地址: | 2012*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 控制 模版 cd 清洗 方法 | ||
1.一种控制掩模版CD值的清洗方法,采用硫酸和双氧水对掩模版进行两次清洗,其特征在于,它包括以下步骤:
步骤1:保持两次硫酸的温度、第一次清洗时间以及两次双氧水注入量恒定,采集不同第二次硫酸清洗时间对应掩模版上CD值改变幅度的数据,所述第二次硫酸清洗掩模版的时间为200秒~3000秒;
步骤1A:保持两次硫酸温度和清洗时间恒定,采集不同双氧水注入量对应掩模版上CD值改变幅度的数据;
步骤2:采集掩模版上CD值超出预期制定范围幅度的数据,依据步骤1中得出的掩模版上CD值随硫酸清洗时间变化而改变的幅度数据来确定第二次硫酸清洗时间,及/或依据步骤1A中得出的掩模版上CD值随双氧水注入量变化而改变的幅度数据来确定双氧水的用量;
步骤3:依据步骤2确定的第二次硫酸清洗时间,及/或确定的双氧水注入量对所述掩模版进行清洗;
步骤4:再次采集掩模版上CD值,若采集的CD值在预期制定范围内,掩模版清洗完毕;若采集的CD值不在预期制定范围内,返回步骤2。
2.如权利要求1所述控制掩模版CD值的清洗方法,其特征在于,所述第一次清洗硫酸的清洗时间为500秒,温度为95摄氏度;第二次清洗硫酸的温度为110摄氏度;所述清洗硫酸均为高浓度硫酸。
3.如权利要求1所述控制掩模版CD值的清洗方法,其特征在于,所述两次注入硫酸中的双氧水量保持相同。
4.如权利要求3所述控制掩模版CD值的清洗方法,其特征在于,所述两次注入硫酸的双氧水量均为100~1600毫升。
5.如权利要求1所述控制掩模版CD值的清洗方法,其特征在于,在用硫酸和双氧水清洗掩模版之后采用臭氧对掩模版进行清洗。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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