[发明专利]一种可减小等离子损伤效应的MOS电容有效
| 申请号： | 200810035899.5 | 申请日： | 2008-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101556970A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 陆黎明;赵永 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 减小 等离子 损伤 效应 mos 电容 | ||
1.一种可减小等离子损伤效应的MOS电容，制作在硅衬底上，其具有栅极以及设置在金属层中且与栅极连接的栅极金属垫，所述栅极金属垫P包括至下而上设置的第一层导线、第二层导线直至顶层导线，相邻层导线之间电连接，金属层包括至下而上设置的第一层金属、第二层金属直至顶层金属，该栅极金属垫的第一层导线位于金属层的第一层金属中，其特征在于，该栅极金属垫的第一层导线分离为第一和第二导线段，该第一导线段与该栅极金属垫的第二层导线电连接，该第二导线段与所述栅极电连接，所述MOS电容还包括金属跳线，所述金属跳线跨设在该第一和第二导线段间使得第一和第二导线段间形成电连接。
2.如权利要求1所述的可减小等离子损伤效应的MOS电容，其特征在于，所述金属跳线包括至下而上设置且相邻层导线之间电连接的第一层导线、第二层导线直至顶层导线，该金属跳线的顶层导线为一一体导线，其余层导线均为分隔开且分别设置在第一导线段和第二导线段上的两分离导线，该金属跳线的第一层导线位于金属层的第二层金属中。
3.如权利要求1所述的可减小等离子损伤效应的MOS电容，其特征在于，该栅极金属垫和金属跳线的顶层导线均位于金属层的顶层金属层中。
4.如权利要求1所述的可减小等离子损伤效应的MOS电容，其特征在于，该栅极金属垫和金属跳线所具有的导线层间均通过接触孔插塞层连接。
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