[发明专利]量子放大的p型量子阱红外探测器无效
| 申请号： | 200810036257.7 | 申请日： | 2008-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN101262025A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 陆卫;王旺平;侯颖;李天信;陈平平;张波;甄红楼;李宁;陈效双 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/111 | 分类号： | H01L31/111 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 20008*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 量子 放大 红外探测器 | ||
【权利要求书】：
1.一种量子放大的p型量子阱红外探测器，包括：量子点共振隧穿二极管和p型量子阱有源层(10)；
所说的量子点共振隧穿二极管由半绝缘GaAs衬底(1)，在半绝缘GaAs衬底上通过分子束外延或金属有机气相外延方法依次排列生长GaAs缓冲层(2)、AlAs腐蚀阻挡层(3)、掺杂浓度渐变的n+GaAs下电极层(4)、第一GaAs间隔层(5)、双势垒结构层(6)、第二GaAs间隔层(7)、InAs量子点(8)、本征GaAs量子点覆盖层(9)、第三GaAs间隔层(11)和n+GaAs上电极层(12)组成；其中双势垒结构层(6)为AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs，组分x＝0.33-1.0；InAs量子点的密度为(1-9)×1010cm-2；
其特征在于：所说的p型量子阱有源层(10)设置在量子点共振隧穿二极管的本征GaAs量子点覆盖层(9)和第三GaAs间隔层(11)之间。
2.根据权利要求1的一种量子放大的p型量子阱红外探测器，其特征在于：所说的p型量子阱有缘层(10)为1-10个周期的InyGa1-y As/GaAs，InyGa1-y As量子阱厚度为4nm，GaAs势垒厚为35nm，组分y为0.1-0.6。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海技术物理研究所，未经中国科学院上海技术物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810036257.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
