[发明专利]碲锌镉薄膜太阳能电池有效
申请号: | 200810037157.6 | 申请日: | 2008-05-09 |
公开(公告)号: | CN101276854A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 褚君浩;江锦春;石富文 | 申请(专利权)人: | 上海太阳能电池研究与发展中心 |
主分类号: | H01L31/065 | 分类号: | H01L31/065;H01L31/0296;H01L31/0224 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 201201上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 碲锌镉 薄膜 太阳能电池 | ||
1.一种碲锌镉薄膜太阳能电池,包括:玻璃衬底(1),其特征在于:
在玻璃衬底(1)上依次沉积有透明导电氧化物薄膜前电极层(2)、n型CdS窗口层(3)、p型Cd1-xZnxTe吸收层(4)、P型ZnTe:Cu背接触电极层(5)。
2.根据权利要求1的一种碲锌镉薄膜太阳能电池,其特征在于:所说的透明导电氧化物薄膜是ITO、SnO2:F、ZnO:Al中的一种。
3.根据权利要求1的一种碲锌镉薄膜太阳能电池,其特征在于:所说的p型Cd1-xZnxTe吸收层(4)中的Zn组分x值在其厚度方向渐变,形成一个渐变带隙结构的Cd1-xZnxTe吸收层。
4.根据权利要求1的一种碲锌镉薄膜太阳能电池,其特征在于:所说的Cd1-xZnxTe吸收层的厚度为500~2000纳米。
5.根据权利要求3的一种碲锌镉薄膜太阳能电池,其特征在于:所说的Cd1-xZnxTe吸收层中的Zn组分x值在其厚度方向,即从CdS窗口层到距离背接触电极层的10~100纳米内由1渐变到0,余下的厚度由0渐变到1。
6.根据权利要求1的一种碲锌镉薄膜太阳能电池,其特征在于所说的P型ZnTe背接触电极层为Cu掺杂的ZnTe。
7.根据权利要求1或6的一种碲锌镉薄膜太阳能电池,其特征在于:所说的P型ZnTe背接触电极层厚度为50~60纳米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的