[发明专利]稀土242相控制组分生长超导块材的方法无效
申请号: | 200810037418.4 | 申请日: | 2008-05-15 |
公开(公告)号: | CN101319380A | 公开(公告)日: | 2008-12-10 |
发明(设计)人: | 姚忻;孙立杰;黄宜斌;程玲 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | C30B29/22 | 分类号: | C30B29/22;C30B19/00;H01B12/06;C04B35/01 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 | 代理人: | 毛翠莹 |
地址: | 200240*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 稀土 242 控制 组分 生长 超导 方法 | ||
1.一种稀土242相控制组分生长超导块材的方法,其特征在于包括如下步骤:
1)按照LRE∶Ba∶Cu=1∶2∶3和LRE∶Ba∶Cu=2∶4∶2的比例将LRE2O3,BaCO3,CuO粉末混合成LRE123和LRE242的前驱粉末;
2)前驱粉末经过研磨后,LRE123前驱粉在空气气氛下900℃下烧结48小时,LRE242前驱粉在氮气环境下810℃烧结12小时;该研磨、烧结过程共重复3遍,以获得纯相的小尺度LRE123和LRE242粉末;
3)将烧结成相后的LRE123粉末和LRE242粉末按LRE123+(10~30)mo1%LRE242的比例混合均匀,压制成前驱体片,顶部放上籽晶控制生长取向;
4)将前驱体片放在MgO单晶衬底上,整个体系放入密封系统中;
5)2小时升温至LRE-BCO的包晶熔化温度以下20-50℃,保温1小时;继续加热,2小时升温至包晶温度以上30±5℃,保温1.5小时;
6)在15分钟内将温度降低至包晶反应温度,然后以每小时0.5℃的速率降温20-40小时,最后淬火制得超导块体材料;
其中,所述的LRE为Sm或Nd,LRE242相是通过氮气环境下烧结的方法人工合成的富钡的LRE2Ba4Cu2O9。
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