[发明专利]可有效去除晶圆光刻工艺过程中显影缺陷的显影方法

权利要求书

1.一种可有效去除晶圆光刻工艺过程中显影缺陷的显影方法，其特征在于包括：

使用一第一显影液对上述晶圆进行喷涂；

使用一第一清洗液清洗上述晶圆；

使用一第二显影液对上述晶圆进行喷涂；

对上述晶圆进行显影；以及

使用一第二清洗液清洗上述晶圆。

2.根据权利要求1所述的显影方法，其特征在于其中上述第一显影液和上述第二显影液为使用一微影机台的喷嘴进行喷涂。

3.根据权利要求1所述的显影方法，其特征在于其中在使用上述第一显影液进行喷涂步骤后，等待一设定时间即进行清洗步骤。

4.根据权利要求1所述的显影方法，其特征在于其中上述设定时间为5秒。

5.根据权利要求1所述的显影方法，其特征在于其中上述第一显影液，上述第二显影液为碱性溶液。

6.根据权利要求5所述的显影方法，其特征在于其中上述第一显影液，上述第二显影液包括四甲基氢氧化铵。

7.根据权利要求6所述的显影方法，其特征在于其中上述四甲基氢氧化铵的浓度介于0.1％～2.8％之间。

8.根据权利要求1所述的显影方法，其特征在于其中上述第一清洗液，上述第二清洗液包括去离子水，盐类溶液，离子型表面活性剂，非离子型表面活性剂，酸溶液或溶解气体的溶液。