[发明专利]大面积纳米线P-N结阵列及其制备方法

权利要求书

1.一种纳米线P-N结阵列的新型纳米加工方法。

2.按照权利要求1所要求的纳米线P-N结阵列的制备方法，其特征在于，采用纳米压印方法压印出所需结构，压印模板是阴模，或为阳模。

3.按照权利要求2所要求的模板是阴模时，其特征在于，加工材料可以是P-N层结构基片，或为P型，或为N型材料。

4.按照权利要求3所要求的基片是P-N层结构基片时，其特征在于，以下对本方法进一步说明：

(1)在P(或N)型的半导体基片上溅射一层N(或P)型的半导体，形成P-N层结构。

(2)在P-N层结构的基片上旋涂一层纳米压印光刻胶，采用纳米模板(阴模)板压印出图案。

(3)用刻蚀工艺依次去除残留胶和刻蚀出P-N结，完成图形转移。

5.按照权利要求3所要求的基片是P(N)型时，其特征在于，以下对此进一步说明：

(1)在P(或N)型基片上旋涂一层纳米压印光刻胶，采用纳米模板(阴模)压印出图案。

(2)用刻蚀工艺依次去除残留胶和刻蚀出纳米线P(或N)型阵列，完成图形转移。

(3)对上一步得到纳米线P(或N)型阵列进行掺杂，就可以得到纳米线P-N结阵列。

6.按照权利要求2所要求的模板是阳模时，其特征在于，加工材料可以是P-N层结构基片，或为P型，或为N型基片。

7.按照权利要求6所要求的基片是P-N层结构基片时，其特征在于，以下对本方法进一步说明：

(1)在P(或N)型的半导体基片上溅射一层N(或P)型的半导体，形成P-N层结构。

(2)在P-N层结构的基片溅射一定厚度的SiO₂层，后旋涂一层纳米压印光刻胶，采用纳米模板(阳模)压印出图案。

(3)用刻蚀工艺依次去除残留胶，SiO₂，刻蚀到P层(或N层)上，使压印图形转移到P层(或N层)。

(4)用酸腐蚀掉SiO₂，就得到纳米线P-N结阵列。

8.按照权利要求6所要求的基片是P(N)型时，其特征在于，以下对此进一步说明：

(1)在P(或N)型基片上溅射一定厚度的SiO₂层，后旋涂一层纳米压印光刻胶，采用纳米模板(阳模)压印出图案。

(2)用刻蚀工艺和酸腐蚀工艺依次去除残留胶和刻蚀出纳米线P(或N)型阵列。

(3)对所得到的P(或N)型纳米线阵列进行掺杂，就可以加工出纳米线P-N结阵列。

9.按照权利要求1～8所要求的P型(或N，或P-N)材料，其特征是无机半导体材料，或为有机半导体材料；或是单质半导体材料，或化合物半导体材料。

10.按照权利要求4～8所要求的压印方法，其特征是紫外压印，或热压印。

11.按照权利要求5和8所要求的掺杂，其特征是通过相应的气相掺杂，或为离子注入掺杂。

12.按照权利要求7和8所要求的用SiO₂作为刻蚀阻挡层，其特征是或用金属层作为刻蚀阻挡层。

13.按照权利要求1所要求的纳米加工方法，其特征是采用纳米压印技术压印出图案，结合刻蚀工艺，完成图形转移，刻蚀出纳米线P-N结阵列，其中采用刻蚀的方法为干法刻蚀，或为湿法刻蚀。