[发明专利]一种在硅纳米线上进行无磷无电镀镍的方法

权利要求书

1、一种在硅纳米线上进行无磷无电镀镍的方法，其制备步骤为：

1)化学湿法刻蚀制作硅纳米线：

(a)选用P型或N型的单面抛光的硅片，切割成1cm×1cm样片，RCA标准程序清洗；在常温常压下放入由35mM/L硝酸银溶液、20％氢氟酸溶液和去离子水按体积比为1∶1∶2混合制作的刻蚀液中刻蚀35～50min；

(b)用浓硝酸和去离子水1∶2混合溶液除去硅纳米线表面的残留的银颗粒，再用去离子水充分清洗，放入烘干箱中于90～130℃烘干备用；

2)无电沉积镍薄层：

将硅纳米线衬底在表面活性剂十二烷基硫酸钠溶液中浸泡35-45s进行表面活化，增加其亲水性；再将其置于用浓氨水滴定调Ph值为8.5～9.5的无电镀液中，无电镀液用水浴保持温度在78±4℃，反应25～35min；然后用80±5℃去离子水冲洗并再次放入烘箱90～130℃烘干，得到Ni-SiNWs阵列复合结构样品。

2、根据权利要求1所述的一种在硅纳米线上进行无磷无电镀镍的方法，其特征在于：所述无电镀液的组成和配比为：NiSO₄.6H₂O1～2M/L，(NH₄)SO₄0.2～0.5M/L，NH₄F2.5M/L和柠檬酸钠0.2M/L；其中NiSO₄.6H₂O提供镍源、(NH₄)SO₄为缓冲剂、NH₄F为还原剂、柠檬酸为钳合剂。

3、根据权利要求1所述的一种在硅纳米线上进行无磷无电镀镍的方法，其特征在于：所述的表面活性剂十二烷基苯磺酸钠的浓度为10～20mg/L。

4、根据权利要求1所述的一种在硅纳米线上进行无磷无电镀镍的方法，其特征在于：所述的浓氨水浓度为15M/L。

5、根据权利要求1所述的一种在硅纳米线上进行无磷无电镀镍的方法，其特征在于：将所得Ni-SiNWs阵列复合结构在RTA系统中，采用温度为250～500℃进行快速热退火处理1min。