[发明专利]一种硅纳米管的制备方法无效
| 申请号： | 200810038215.7 | 申请日： | 2008-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN101284667A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 陈扬文;江素华;邵丙铣;王炜 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;张磊 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅纳米管的制备方法，其特征在于具体步骤为：将硅粉、一氧化硅粉末和催化剂稀土元素镧混合，其中一氧化硅粉末和硅粉的质量比值为0.5～2.0，镧的用量为一氧化硅粉末和硅粉总质量的1～3％；将混合粉末至于高温管式炉中，经程序升温后，管式炉温度控制在1250～1300℃将固体混合粉末气化，气化时间2～5h，在炉内温度为850～950℃处放置供硅纳米管生长的衬底，并以10～500Pa的氩气为保护气体和载气，载气流量控制在50～150标准状态毫升/分，将气化的硅源带到温度较低的衬底上沉积，在此衬底上硅原子堆积成核，并长大，得到硅纳米管。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是管式炉程序升温速率为15～25℃/min。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是衬底为石英或抛光硅片。
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