[发明专利]铝垫电化学刻蚀方法有效
| 申请号： | 200810038385.5 | 申请日： | 2008-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101591797A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 周鸣;王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C25F3/04 | 分类号： | C25F3/04 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电化学 刻蚀 方法 | ||
1.一种铝垫刻蚀工艺中铝的刻蚀方法，其特征是，采用电化学刻蚀方式实现对铝的刻蚀，其中该电化学刻蚀所采用的电解液包括乙醇(CH3CH2OH)、磷酸(H3PO4)和水(H2O)，且乙醇(CH3CH2OH)的体积分数为15％～25％，磷酸(H3PO4)的体积分数为20％～30％。
2.根据权利要求1所述的铝垫刻蚀工艺中铝的刻蚀方法，其特征是，其中上述电化学刻蚀工艺参数如下：
电压：3～10V；电流：10～15A；时间：150s～200s。
3.一种铝垫刻蚀方法，其特征是，包括：
在一经曝光的光刻胶层的保护下，去除一铝垫叠层中铝上的部分阻挡层而暴露出部分铝；
采用电化学刻蚀方式去除暴露出的铝，
其中该电化学刻蚀所采用的电解液包括乙醇(CH3CH2OH)、磷酸(H3PO4)和水(H2O)，且乙醇(CH3CH2OH)的体积分数为15％～25％，磷酸(H3PO4)的体积分数为20％～30％；
进行后期刻蚀。
4.根据权利要求3所述的铝垫刻蚀方法，其特征是，其中上述电化学刻蚀工艺参数如下：
电压：3～10V；电流：10～15A；时间：150s～200s。
5.根据权利要求3所述的铝垫刻蚀方法，其特征是，其中上述阻挡层是通过干法刻蚀的方式去除。
6.根据权利要求5所述的铝垫刻蚀方法，其特征是，其中上述阻挡层干法刻蚀的刻蚀气体不包括氯气。
7.根据权利要求6所述的铝垫刻蚀方法，其特征是，其中上述阻挡层干法刻蚀的刻蚀气体包括四氟化碳(CF4)与氦气(He)。
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