[发明专利]一种轻质高导热效率的功率器的封装件无效
| 申请号： | 200810038868.5 | 申请日： | 2008-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN101315913A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 张哲娟;孙卓;孙鹏 | 申请（专利权）人： | 上海芯光科技有限公司;华东师范大学 |
| 主分类号： | H01L23/36 | 分类号： | H01L23/36;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京连城创新知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘伍堂 |
| 地址： | 200333上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 轻质高 导热 效率 功率 封装 | ||
1、一种轻质高导热效率的功率器的封装件，包括芯片、散热基板，其特征在于：由芯片(1)背面从上至下依次键合上高导热键合界面层(2)、热沉薄膜(3)、下高导热键合界面层(4)、散热基板(5)构成；其中所述的散热基板(5)采用高导热石墨片或高导热纳米碳管/纤维复合材料或高导热沥青基碳-碳复合材料，或碳-铜或碳-铝复合材料，或铝基或铜基的碳化硅或氮化硼或氮化铝或氮化硅的陶瓷复合材料。
2、如权利要求1所述的一种轻质高导热效率的功率器的封装件，其特征在于：所述的上、下高导热键合界面层(2)和(4)采用厚度为10-100纳米的高导电导热性的金属或金属化合物薄膜材料，如金属薄膜Sn、In、Zn、Au、Ag、Cu、Ti、Ni、Fe、Co、Pd、Al、Mo或金属化合物薄膜CuIn、AgIn、AuIn、InSn、AgSn、AuSn上述任意一种材料。
3、如权利要求1所述的一种轻质高导热效率的功率器的封装件，其特征在于：所述的热沉薄膜(3)，若芯片(1)与散热基板(5)为绝缘连接，热沉薄膜(3)采用多晶金刚石薄膜，若芯片(1)与散热基板(5)为导电连接，热沉薄膜(3)采用定向碳纳米管薄膜或定向纳米纤维薄膜。
4、如权利要求1或3所述的一种轻质高导热效率的功率器的封装件，其特征在于：所述的热沉薄膜(3)采用定向碳纳米管薄膜或定向纳米纤维薄膜时，下高导热键合界面层(4)采用Fe或Co或Ni或Cu或Pd或Ti或Mo材料。
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