[发明专利]轻掺杂离子注入方法无效
| 申请号： | 200810039152.7 | 申请日： | 2008-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101609798A | 公开（公告）日： | 2009-12-23 |
| 发明（设计）人： | 阳厚国;史旭;王蒙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂 离子 注入 方法 | ||
1.一种轻掺杂离子注入方法，其特征在于，以原子团为单位向晶圆进行离子注入，所述原子团包括至少两个注入离子。
2.如权利要求1所述的轻掺杂离子注入方法，其特征在于，所述注入离子为砷离子，所述砷离子的原子量为148-152。
3.如权利要求2所述的轻掺杂离子注入方法，其特征在于，所述砷离子的原子量为150。
4.如权利要求1所述的轻掺杂离子注入方法，其特征在于，所述注入离子为磷离子，所述磷离子的原子量为61-63。
5.如权利要求4所述的轻掺杂离子注入方法，其特征在于，所述磷离子的原子量为62。
6.如权利要求1所述的轻掺杂离子注入方法，其特征在于，离子注入能量设置在1-10kev。
7.如权利要求6所述的轻掺杂离子注入方法，其特征在于，离子注入能量为6kev。
8.如权利要求1所述的轻掺杂离子注入方法，其特征在于，所述注入离子在注入过程中形成离子束，其中离子束每平方厘米流过的电流为1.8-2.5毫安。
9.如权利要求1所述的轻掺杂离子注入方法，其特征在于，所述轻掺杂离子注入方法应用在轻掺杂源漏极(LDD)离子注入过程中。
10.如权利要求9所述的轻掺杂离子注入方法，其特征在于，所述LDD离子注入过程采用环形离子注入方式。
11.如权利要求1所述的轻掺杂离子注入方法，其特征在于，所述原子团包括两个砷离子。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810039152.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
