[发明专利]一种真空灭弧室工频预击穿电流的模拟方法无效
申请号: | 200810039449.3 | 申请日: | 2008-06-24 |
公开(公告)号: | CN101615221A | 公开(公告)日: | 2009-12-30 |
发明(设计)人: | 王卫斌 | 申请(专利权)人: | 上海恒睿信息技术有限公司;上海市电力公司 |
主分类号: | G06F19/00 | 分类号: | G06F19/00 |
代理公司: | 上海兆丰知识产权代理事务所 | 代理人: | 章蔚强 |
地址: | 20023*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 真空 灭弧室工频预 击穿 电流 模拟 方法 | ||
1.一种真空灭弧室工频预击穿电流的模拟方法,通过计算机来实现对真空灭弧室工频预击穿电流的模拟,其特征在于,它包括以下步骤:
首先,建立流过真空灭弧室的预击穿电流Ip与施加电压U之间的函数关系;
然后,根据得到的预击穿电流Ip与施加电压U之间的关系,通过计算机进行计算,得出一系列的预击穿电流Ip与施加电压U之间的对应数值;
最后,根据得到的一系列的预击穿电流Ip与施加电压U之间的对应数值,通过计算机自动绘制预击穿电流Ip与施加电压U的关系曲线图,该关系曲线图即为预击穿电流Ip的波形图。
2.根据权利要求1所述的真空灭弧室工频预击穿电流的模拟方法,其特征在于,所述的预击穿电流Ip与施加电压U之间的函数关系为:
其中,i为场致发射电流,即预击穿电流Ip;
u为施加于真空间隙两端的电压,即施加电压U;
A、B为与具体电极表面状态、残余气体、电极结构形状以及电极材料有关的系数,A正比于场致发射面积,B正比于是表面逸出功,β是场增强系数。
3.根据权利要求2所述的真空灭弧室工频预击穿电流的模拟方法,其特征在于,所述的A和B的值可由真空灭弧室在直流下的F-N图求出。
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