[发明专利]大尺寸掺镱硅酸钪激光晶体及其制备方法

权利要求书

1、大尺寸掺镱硅酸钪激光晶体，其特征在于其化学式为Yb_xSc_1-x)₂SiO₅，其中0.001≤x≤0.2。

2、按权利要求1所述的大尺寸掺镱硅酸钪激光晶体的制备方法，特征在于包括下列步骤：

(1)按化学式称取纯度大于99.99％的Yb₂O₃，Sc₂O₃和SiO₂原料；

(2)将原料混合均匀的混合粉料；压成料块在1200℃-1600℃的温度烧结12-30小时；

(3)将烧好的料块装进坩埚，加热直至使其完全熔化；

(4)采用硅酸镥或镱硅酸镥或硅酸钪或镱硅酸钪为籽晶，控制生长温度为1900～2150℃进行提拉法生长，在惰性气体保护下，晶体经过下种、缩径、放肩、等径、收尾，降温等程序后，生长结束。

3、按权利要求2所述的大尺寸掺镱硅酸钪激光晶体的制备方法，特征在于所述的籽晶为b轴，惰性气氛为N₂或Ar。

4、按权利要求2或3所述的大尺寸掺镱硅酸钪激光晶体的制备方法，特征在于步骤(3)中所述的坩埚为铱金坩埚。

5、按权利要求2或3所述的大尺寸掺镱硅酸钪激光晶体的制备方法，特征在于步骤(3)中所述的加热方式为中频感应加热。

6、按权利要求2所述的大尺寸掺镱硅酸钪激光晶体的制备方法，特征在于步骤(4)中控制晶体生长速度为0.5-5mm/hr，晶体转速为10-50rpm。