[发明专利]薄膜太阳能电池衬底以及薄膜太阳能电池的制作方法

权利要求书

1.一种薄膜太阳能电池衬底的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

(a)提供初始衬底；

(b)在初始衬底表面生长第一半导体层；

(c)将起泡离子注入到初始衬底中；

(d)在第一半导体层表面生长第二半导体层；

(e)在第二半导体层的表面生长支撑层；

(f)退火，从而使初始衬底在起泡离子的注入位置剥离；

其中步骤(c)和步骤(d)的实施顺序可互换。

2.根据权利要求1所述之薄膜太阳能电池衬底的制作方法，其特征在于，所述之起泡离子选自于氢离子、氦离子中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述之薄膜太阳能电池衬底的制作方法，其特征在于，所述之第一半导体层为N型半导体，第二半导体层为P型半导体层。

4.根据权利要求1所述之薄膜太阳能电池衬底的制作方法，其特征在于，所述之第一半导体层为单晶硅层，所述之第二半导体层为单晶硅层。

5.根据权利要求1所述之薄膜太阳能电池衬底的制作方法，其特征在于，所述之衬底为本征半导体。

6.根据权利要求1所述之薄膜太阳能电池衬底的制作方法，其特征在于，所述之支撑层为金属层。

7.根据权利要求1所述之薄膜太阳能电池衬底的制作方法，其特征在于，所述之支撑层的厚度为20μm～50μm。

8.一种薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

(a)提供初始衬底；

(b)在初始衬底表面生长第一半导体层；

(c)将起泡离子注入到初始衬底中；

(d)在第一半导体层表面生长第二半导体层；

(e)在第二半导体层的表面生长支撑层；

(f)退火，从而使初始衬底在起泡离子的注入位置剥离；

(g)在剥离后保留在第一半导体层表面的初始衬底的残余部分的表面制作电极；

其中步骤(c)和步骤(d)的实施顺序可互换。

9.根据权利要求8所述之薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，还包括如下步骤：在步骤(f)实施完毕后，将剥离后保留在第一半导体层表面的初始衬底的残余部分的表面粗糙化。

10.根据权利要求8所述之薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述之起泡离子选自于氢离子、氦离子中的一种或多种。

11.根据权利要求8所述之薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述之第一半导体层为N型半导体，第二半导体层为P型半导体层。

12.根据权利要求8所述之薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述之支撑层为金属层。