[发明专利]CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的制备方法无效

专利信息
申请号: 200810040459.9 申请日: 2008-07-10
公开(公告)号: CN101319140A 公开(公告)日: 2008-12-10
发明(设计)人: 孙康;李万万;邢滨;王解兵 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: C09K11/88 分类号: C09K11/88
代理公司: 上海交达专利事务所 代理人: 王锡麟;王桂忠
地址: 200240*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: cdsete cds zns 核壳壳型 量子 制备 方法
【权利要求书】:

1、一种CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

第一步,将镉的无机盐和(TMS)2S溶解在膦化合物和液体石蜡的混合溶液中,超声振荡后,形成CdS壳前体储备溶液;Cd前体的摩尔浓度为50-200毫摩尔/升,S前体的摩尔浓度为50-200毫摩尔/升;

第二步,将CdSeTe量子点加入到液体石蜡中,使CdSeTe量子点的摩尔浓度为8.33-16.67毫摩尔/升,形成CdSeTe量子点溶液;

第三步,将CdSeTe量子点溶液加热到100℃-180℃,然后将CdS壳前体溶液逐滴加入,完毕后将反应溶液的温度降到60℃-120℃保温,然后将溶液冷却到室温,得到CdSeTe/CdS量子点溶液;

第四步,将锌的无机盐和(TMS)2S溶解在膦化合物和液体石蜡的混合溶液中,超声振荡后,形成ZnS壳前体储备溶液;Zn前体的摩尔浓度为50-200亳摩尔/升,S前体的摩尔浓度为50-200毫摩尔/升;

第五步,将CdSeTe/CdS量子点溶液加热到100℃-180℃,然后将ZnS壳前体储备溶液逐滴加入,完毕后将反应溶液的温度降到60℃-120℃保温,然后将溶液冷却到室温,得到CdSeTe/CdS/ZnS量子点溶液;

第六步,将上述获得的量子点溶液加入沉淀剂,静置使量子点形成絮状沉淀,离心,去掉上层清液后将流体状量子点沉淀溶解在溶剂中,再次离心后去掉下层沉淀,得到均匀分散在溶剂中的CdSeTe/CdS核壳型及CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点。

2、根据权利要求1所述的CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的制备方法,其特征是,第一步中,膦化合物和液体石蜡的体积比为1∶3,膦化合物是三正辛基膦、三正丁基膦、三本基膦或十四烷基磷酸。

3、根据权利要求1所述的CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的制备方法,其特征是,第三步中,保温30-60分钟。

4、根据权利要求1所述的CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的制备方法,其特征是,第四步中,膦化合物和液体石蜡的体积比为1∶3,膦化合物是三正辛基膦、三正丁基膦、三本基膦或十四烷基磷酸。

5、根据权利要求1或4所述的CdSeTe/CdS核壳型及CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的制备方法,其特征是,第四步中,保温30-60分钟。

6、根据权利要求1所述的CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的制备方法,其特征是,所述的CdSeTe/CdS核壳型量子点的荧光发射峰的范围为630-870nm,荧光发射峰的半高宽为30-50nm,荧光量子产率为30%-80%。

7、根据权利要求1所述的CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的制备方法,其特征是,所述的CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的荧光发射峰的范围为650-890nm,荧光发射峰的半高宽为30-50nm,荧光量子产率为50%-85%。

8、根据权利要求1所述的CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的制备方法,其特征是,所述的镉的无机盐是乙酸镉、草酸镉或硬脂酸镉。

9、根据权利要求1所述的CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的制备方法,其特征是,所述的锌的无机盐是硬脂酸锌、乙酸锌或草酸锌。

10、根据权利要求1所述的CdSeTe/CdS/ZnS核壳壳型量子点的制备方法,其特征是,第六步中,量子点的沉淀剂是甲醇、乙醇、丙醇或丙酮,量子点的溶剂是正己烷、环己烷、氯仿、四氢呋喃或甲苯。

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