[发明专利]大长径比氧化铝纳米线的制备方法无效
申请号: | 200810040460.1 | 申请日: | 2008-07-10 |
公开(公告)号: | CN101323977A | 公开(公告)日: | 2008-12-17 |
发明(设计)人: | 胡文彬;杨琪;邓意达;陆光伟 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | C30B29/20 | 分类号: | C30B29/20;C30B29/62;C30B7/10;C01F7/34 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 | 代理人: | 王锡麟;王桂忠 |
地址: | 200240*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 长径 氧化铝 纳米 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种纳米技术领域的制备方法,具体是一种大长径比氧化铝纳米线的制备方法。
背景技术
一维纳米结构是三维空间中有两维处于纳米尺度范围的纳米结构。制备晶体氧化铝一维纳米结构最常见的方法是气相法。单晶氧化铝纤维首先在美国劳伦斯·伯克利实验室被制备出来,通过VLS法在单晶蓝宝石基片上生长出单晶氧化铝纳米纤维。在这个制备过程中,首先,将Pt熔化形成液滴沉积在蓝宝石基片上,Pt液滴从气相中吸收氧化铝,然后长出氧化铝纤维。
经对现有技术的文献检索发现,Valcarcel等人在《Advanced Materials》(Vol.10,No.2,1998)发表题为“Development of single-crystal α-Al2O3fibers by vapor-liquid-solid deposition(VLS)from aluminum and powderedsilica”的研究论文,将铝粉和硅粉的混合物在真空条件下加热至1300-1500℃可制备出直径分布较广(0.1-10μm),长度数百微米的单晶氧化铝纳米线。
采用气相法制备氧化铝一维纳米结构的制备条件非常苛刻,通常需要特殊设备,反应需要在高温、真空或保护性气氛、催化剂条件下进行,因此限制了氧化铝一维纳米结构的制备。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术中存在的缺陷与不足,提出一种大长径比氧化铝纳米线的制备方法,用液相法制备大长径比的勃姆石前驱体纳米线,并通过煅烧转变为形貌相似的氧化铝纳米线。该方法利用勃姆石的层状结构,通过卷曲机制形成勃姆石纳米线,并在500-800℃下热分解转变为氧化铝纳米线。
本发明是通过以下技术方案实现的,本发明包括以下步骤:
第一步,配制浓度为1M-3M的铝盐水溶液、NaOH水溶液和氨水溶液,将体积比1-2∶1-2的NaOH水溶液和氨水溶液混合,配制NaOH和氨水的混合沉淀剂。
以NaOH、氨水的混合溶液为沉淀剂,在勃姆石生长初期,形成的勃姆石为尺寸几百纳米甚至几微米的勃姆石纳米层,通过卷曲机制形成的勃姆石一维纳米结构长度较长,为几百纳米甚至几微米。
第二步,将混合沉淀剂滴加到铝盐水溶液中,直到反应溶液的pH值为5。
第三步,将第二步生成的悬浮液转移到高压釜中,加热至200-220℃保温,随炉冷却至室温。
所述保温,其时间为24-72小时。
第四步,反应后的产物经过滤实现固液分离,将沉淀物用纯水反复漂洗,然后干燥,得到勃姆石前驱体纳米线。
所述干燥,其温度为100℃。
所述干燥,其时间为12-24小时。
第五步,将勃姆石前驱体纳米线加热至500℃-800℃保温,转变为形貌相似的氧化铝纳米线。
所述保温,其时间为2-6小时。
本发明利用勃姆石(γ-AlOOH)的层状结构来制备勃姆石(γ-AlOOH)纳米线,在勃姆石(γ-AlOOH)的层状结构中,在同一层中,每个Al3+离子协同周围六个O2-离子构成一个AlO6八面体单元,层与层之间由羟基通过氢键连接。在酸性条件下,反应溶液中含有过量的氢离子,它会使勃姆石(γ-AlOOH)层间的羟基-氧孤电子对质子化,形成水的配位体,使勃姆石(γ-AlOOH)层状结构分离。由于相互分离的勃姆石(γ-AlOOH)层表面充满悬空的羟基,随后勃姆石(γ-AlOOH)层会通过卷曲生长机制(rolling growth)卷曲形成勃姆石(γ-AlOOH)一维纳米结构。
由于以NaOH水溶液和氨水溶液配制的混合溶液为沉淀剂,制备出的勃姆石(γ-AlOOH)层的尺寸为几百纳米甚至几微米,通过卷曲生长机制(rollinggrowth)卷曲形成勃姆石(γ-AlOOH)一维纳米结构的长径比很大,为60-100,因此制备的产物为勃姆石(γ-AlOOH)纳米线(长径比大于50)。
与现有技术相比,本发明以铝盐、NaOH和氨水为原料,采用水热反应制备出直径为10-20nm,长度为1-2μm,长径比为60-100,形状规则、表面光滑的勃姆石前驱体纳米线和氧化铝纳米线。由于制备的氧化铝纳米线具有独特的一维结构,可用于陶瓷复合材料的纤维增强物。
附图说明
图1为本发明方法流程图
图2为本发明实施例所得氧化铝纳米线形貌图
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