[发明专利]浅沟槽内绝缘层高度的确定方法有效
| 申请号： | 200810040567.6 | 申请日： | 2008-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN101630654A | 公开（公告）日： | 2010-01-20 |
| 发明（设计）人： | 赵猛;王津洲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 绝缘 高度 确定 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种浅沟槽内绝缘层高度的确定方法，其特征在于，包括下列步骤：
提供绝缘层高度不同的浅沟槽隔离结构，在浅沟槽隔离结构上横跨有栅极；
在栅极上加固定值的电压，测量浅沟槽隔离结构上凹陷处的电场；
得到浅沟槽隔离结构上凹陷处的电场与浅沟槽内绝缘层高度的关系曲线；
将最小电场值对应的浅沟槽内绝缘层高度选定为最佳值。
2.根据权利要求1所述浅沟槽内绝缘层高度的确定方法，其特征在于，所述 浅沟槽隔离结构上的电场为浅沟槽内绝缘层与半导体衬底表面交合处的电 场或浅沟槽内壁处的电场。
3.根据权利要求1所述浅沟槽内绝缘层高度的确定方法，其特征在于，所述 固定值的电压为1.5V～3.5V。
4.根据权利要求3所述浅沟槽内绝缘层高度的确定方法，其特征在于，所述 固定值的电压为2.5V～3.3V。
5.根据权利要求1所述浅沟槽内绝缘层高度的确定方法，其特征在于，所述 栅极材料为多晶硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
