[发明专利]通过延伸电极减少出光遮挡提高出光效率的发光二极管芯片及其制作工艺

权利要求书

1.一种通过延伸电极减少出光遮挡提高出光效率的发光二极管芯片，包括：p型电极pad(1)、n型电极pad(2)、发光有源层(3)、衬底(4)和透明电流扩展层(5)，其特征在于在芯片四周有淀积的绝缘层(7)与发光有源层(3)齐平，在芯片四周n型金pad除外，绝缘层(7)上方有辅助电流扩展层(6)，在辅助电流扩展层(6)上制作p型近pad。

2.根据权利要求1所述的通过延伸电极减少出光遮挡提高出光效率的发光二极管芯片，其特征在于所述透明电流扩展层(5)为ITO电流扩展层，或者镍金电流扩展层，或者p型氧化锌电流扩展层。

3.一种根据权利要求1所述通过延伸电极减少出光遮挡提高出光效率的发光二极管芯片的制作工艺，其特征在于工艺步骤如下：

1)在原有工艺下通过MOCVD等设备完成发光有源层(3)的生长制作；

2)将相应尺寸芯片发光有源层(3)四周以及一对对角刻蚀掉，深度刻蚀至衬底；

3)将刻蚀出的一对对角中的一个通过光刻胶保护起来，然后通过薄膜淀积技术，将刻蚀出的部分填充绝缘层(7)至与发光有源层(3)上表面齐平；

4)清洗发光有源层(3)上表面的杂质后，制作透明电流扩展层(5)；

5)在透明电流扩展层的上方相应的位置制作辅助电流扩展层(6)以及p型金pad(1)、n型金pad(2)；

6)表面清洗以及杂质清除；

7)将圆片划分成单个芯片。

4.根据权利要求3所述的通过延伸电极减少出光遮挡提高出光效率的发光二极管芯片的制作工艺，其特征在于所述步骤5)中，p型金pad(1)电极的位置对应于填充有绝缘层(7)角位置上的透明电流扩展层(5)上表面，辅助电流扩展层(6)在四周填充好绝缘层(7)的透明电流扩展层(5)上方。