[发明专利]一种可提高交换偏置场大小和增强交换偏置稳定性的合金薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种可提高交换偏置场大小和增强交换偏置稳定性的合金薄膜，其特征在于，其结构为，在玻璃或单晶硅或碳化硅的衬底上，从下至上依次为3～9nm的铜膜，3～9nm的镍铁膜，2～15nm铁锰氧化镁膜和6～9nm的金膜，其中，铁锰氧化镁膜的成分为FeMn_(1-x)MgO_(x)，x是氧化镁在铁锰氧化镁中的掺杂体积比为0.01～0.025。

2.如权利要求1所述的合金薄膜的制备方法，具体步骤如下：

将清洗好的玻璃或单晶硅或碳化硅衬底放进磁控溅射仪的溅射腔内，等溅射腔的本底真空度降到8.0×10^-6Pa～3.0×10^-5Pa时，通氩气，氩气压维持在0.4～0.5Pa；采用磁控溅射方式，首先直流溅射Cu靶，功率在15～30W，电流为0.05A～0.1A，将Cu膜的溅射速率控制在0.85～1.7/s；然后溅射NiFe靶，功率在45～60W，电流为0.15～0.20A，将NiFe膜的溅射速率控制在1.2～2.24/s；再将FeMn靶和MgO靶共溅射，其中FeMn靶是直流溅射，功率在30～60W，电流为0.1～0.2A，MgO靶是射频溅射，频率为50～150MHz，偏压为200～400V，FeMn的溅射速率为1.1～1.5/s，MgO的速率为0.008～0.0154/s，生长得到FeMn_(1-x)MgO_(x)膜；最后再溅射覆盖层Au，功率为20～35W，电流为0.15～0.17A，Au的溅射速率为1.7～2.2/s；静置半小时至一小时后开腔，即制得合金薄膜。