[发明专利]一种可再编程的激光熔丝器件和连续调整熔丝电阻的方法无效
申请号: | 200810041395.4 | 申请日: | 2008-08-05 |
公开(公告)号: | CN101335258A | 公开(公告)日: | 2008-12-31 |
发明(设计)人: | 张挺;宋志棠;刘波;封松林;陈邦明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H01L23/525 | 分类号: | H01L23/525;H01L21/768 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 潘振甦 |
地址: | 200050*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 编程 激光 器件 连续 调整 电阻 方法 | ||
1、用于集成电路器件的可再编程激光熔丝器件,其特征在于采用相变材料制作成熔丝,以替代金属线作熔丝,利用激光对相变材料熔丝进行编程。
2、按权利要求1所述的用于集成电路器件的可再编程激光熔丝器件,其特征在于所述的相变材料的相变是由结晶态到非晶态转变或是由非晶态到结晶态的转变。
3、按权利要求1所述的用于集成电路器件的可再编程激光熔丝器件,其特征在于所述的相变材料相变前后的材料的电阻率差异至少一个数量级。
4、按权利要求1、2或3所述的用于集成电路器件的可再编程激光熔丝器件,其特征在于所述的相变材料为具有相变能力的硅锑合金材料、锗锑合金材料或锗锑碲合金材料。
5、按权利要求1、2或3所述的用于集成电路器件的可再编程激光熔丝器件,其特征在于使用激光使作为熔丝的相变材料实现相变的。
6、按权利要求1所述的用于集成电路器件的可再编程激光熔丝器件,其特征在于所述的熔丝长度为5微米,宽度为2微米。
7、按权利要求1所述的可再编程激光熔丝器件的连续调整熔丝电阻的方法,其特征在于通过改变辐照激光信号的条件来实现的,也即通过编程激光的调节,实现熔丝的部分晶化或部分非晶化的区域尺寸的改变,最终得到不同电阻值的熔丝点。
8、按权利要求7所述的可再编程激光熔丝器件的连续调整熔丝电阻的方法,其特征在于当熔丝初始态为非晶态熔丝进行加热,使被加热部分材料温度升高到结晶温度以上,被辐照部分的材料区域结晶形成结晶区域,调节单次编程激光在熔丝长度方向上的位移,进行单次编程使结晶的区域的尺寸不断变大,从而使电阻值变小。
9、按权利要求7或8所述的可再编程激光熔丝器件的连续调整熔丝电阻的方法,其特征在于编程的区域在于一对电极之间的熔丝。
10、按权利要求7或8所述的可再编程激光熔丝器件的连续调整熔丝电阻的方法,其特征在于通过改变激光束斑大小、单次编程的激光能量、辐照时间以及移动的位置,能获得熔丝的多个电阻状态。
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