[发明专利]基于微加工技术的介质阻挡微放电结构

权利要求书

1.一种基于微加工技术的介质阻挡微放电结构，包括：衬底(1)、微电极单元(3)，其特征在于，还包括介电质(2)，所述的微电极单元(3)设置在衬底(1)上，所述的微放电单元(4)由相邻的一对或多对阴阳微电极单元(3)组成，所述的介电质(2)覆盖在微放电单元(4)。

2.根据权利要求1所述的基于微加工技术的介质阻挡微放电结构，其特征是，所述的微放电单元(4)，为由一对或多对微电极单元(3)组成的阴阳电极对，电极对中至少有一个微电极表面附着有所述的一层介电质(2)。

3.根据权利要求1或2所述的基于微加工技术的介质阻挡微放电结构，其特征是，所述的介电质(2)，其材料为有机或无机的绝缘或者半导体材料。

4.根据权利要求3所述的基于微加工技术的介质阻挡微放电结构，其特征是，所述的介电质(2)，其材料为二氧化硅、二氧化钛，氧化铝，氮化铝或者是聚酰亚胺、SU8胶、聚对二甲苯Parylene中一种。

5.根据权利要求1所述的基于微加工技术的介质阻挡微放电结构，其特征是，所述的微电极单元(3)，包括导电材料制得的微电极，或包括导电材料制得的微电极，以及在微电极表面附着一层一维纳米材料的结构。

6.根据权利要求5所述的基于微加工技术的介质阻挡微放电结构，其特征是，所述的导电材料为金、铝、镍、铜、铂、银中一种。

7.根据权利要求5所述的基于微加工技术的介质阻挡微放电结构，其特征是，所述的一维纳米材料为碳纳米管、碳化硅纳米线、硅纳米线、氧化锌纳米线中一种。