[发明专利]化学机械研磨的方法

权利要求书

1.一种化学机械研磨的方法，其特征在于，

在研磨层上无需研磨的区域形成研磨保护层；所述研磨层上无需研磨区 域低于需研磨区域；所述研磨层为覆盖衬底的多晶硅层，所述衬底包括存储 单元区域和外围电路区域，所述存储单元区域已形成有控制栅，所述存储单 元区域为需研磨区域，所述外围电路区域为无需研磨区域；

选用对研磨层研磨速率大于对研磨保护层研磨速率的研磨浆，对所述研 磨层进行化学机械研磨；

在化学机械研磨后，去除所述研磨保护层。

2.如权利要求1所述的化学机械研磨的方法，其特征在于，在研磨层上无需 研磨的区域形成研磨保护层包括：

在研磨层上形成研磨保护层；

在研磨保护层上无需研磨区域形成光阻；

蚀刻去除无需研磨区域以外的研磨保护层。

3.如权利要求2所述的化学机械研磨的方法，其特征在于，所述蚀刻为湿法 蚀刻。

4.如权利要求3所述的化学机械研磨的方法，其特征在于，所述湿法蚀刻的 蚀刻剂为磷酸。

5.如权利要求1所述的化学机械研磨的方法，其特征在于，在研磨层上无需 研磨的区域形成研磨保护层包括：

在研磨层上的研磨区域形成遮蔽层；

在研磨层及遮蔽层上形成研磨保护层；

去除遮蔽层上的研磨保护层以及遮蔽层。

6.如权利要求1所述的化学机械研磨的方法，其特征在于，所述研磨浆为研 磨层和研磨保护层选择比大于10的研磨浆。

7.如权利要求1所述的化学机械研磨的方法，其特征在于，所述研磨保护层 为氧化层。

8.如权利要求7所述的化学机械研磨的方法，其特征在于，所述氧化层为二 氧化硅或氮氧化硅。

9.如权利要求7所述的化学机械研磨的方法，其特征在于，所述氧化层的厚 度根据研磨浆的选择比以及研磨所述研磨层的时间而定。

10.如权利要求7所述的化学机械研磨的方法，其特征在于，所述氧化层的 厚度为200至500埃。