[发明专利]有源区结构

权利要求书

1.一种有源区结构，所述有源区为半导体衬底内的第二类有源区，所述第二类有源区为非存储单元器件制作区域的有源区，所述第二类有源区表面覆盖有栅氧化层；所述栅氧化层上具有与第二类有源区位置对应的源选择栅；其特征在于，所述第二类有源区中还包括一绝缘物井区，所述绝缘物井区同所述栅氧化层接触，所述绝缘物井区与用于连接源选择栅的互连结构的位置对准。

2.如权利要求1所述的有源区结构，其特征在于，所述源选择栅的互连结构为源选择栅接触孔，所述源选择栅接触孔垂直投影在所述有源区上的区域位于所述绝缘物井区内。

3.如权利要求1所述的有源区结构，其特征在于，所述绝缘物井区为隔离浅沟槽。

4.如权利要求1所述的有源区结构，其特征在于，所述第二类有源区为阱引出有源区。

5.如权利要求1所述的有源区结构，其特征在于，所述栅氧化层为二氧化硅材料，所述源选择栅为导体材料。

6.如权利要求5所述的有源区结构，其特征在于，所述源选择栅为多晶硅材料。