[发明专利]一种应用于铜互连扩散阻挡层的制作方法

权利要求书

1.一种应用于铜互连扩散阻挡层的制作方法，在半导体衬底上的介质层上 形成金属沟槽、接触孔或通孔，其特征在于，该方法包括如下步骤：

首先，在该金属沟槽的槽内或接触孔的孔内或通孔的孔内和所述介质层上 淀积第一金属膜，所述第一金属膜为钽膜；

然后，在同一工艺腔中进行在线氮等离子体氮化处理，且在半导体衬底上 形成用于对氮离子进行定向的偏压，以在该第一金属膜表面上生成一氮化物膜， 所述氮化物膜为氮化钽膜，之后应用惰性气体等离子体对氮化钽膜进行处理， 以进一步提高金属沟槽、通孔或接触孔底角区域的台阶覆盖率，所述对该第一 金属膜进行氮化处理时，其处理温度是100-300摄氏度；

最后，在该氮化钽膜表面淀积第二金属膜。

2.如权利要求1所述的应用于铜互连扩散阻挡层的制作方法，其特征在于， 所述淀积第二金属膜之前，先进行在线退火处理。

3.如权利要求2所述的应用于铜互连扩散阻挡层的制作方法，其特征在于， 所述在线退火处理时，退火温度是100-400摄氏度，且退火时间小于1分钟。

4.如权利要求1所述的应用于铜互连扩散阻挡层的制作方法，其特征在于， 所述第二金属膜为钽膜。

5.如权利要求1所述的应用于铜互连扩散阻挡层的制作方法，其特征在于， 所述淀积第一或第二金属膜是先通过普通物理溅射方法淀积金属膜，再通过惰 性气体离子轰击该金属膜而得。