[发明专利]CuxO电阻随机存储器的制备方法有效
| 申请号： | 200810042507.8 | 申请日： | 2008-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN101345288A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;宋雅丽 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cuxo 电阻 随机 存储器 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种电阻随机存储器的制造方法，首先在衬底上构图形成Cux0电阻存储薄膜，1＜x≤2，其特征在于包括步骤：通过活性气体，对所述Cux0电阻存储薄膜进行表面改性处理；所述衬底是硅衬底上形成的铜薄膜，作为下电极；所述表面改性处理是指活性气体等离子体轰击处理或活性气体气氛退火处理。
2.根据权利要求1所述的电阻随机存储器的制造方法，其特征在于，还包括步骤：构图淀积形成上电极。
3.根据权利要求1所述的电阻随机存储器的制造方法，其特征在于，所述活性气体是XeF2、SF6、CF4、CHF3、Cl2、BCl3之一，或者是XeF2、SF6、CF4、CHF3、Cl2、BCl3中任意两种气体的混合气体。
4.根据权利要求1所述的电阻随机存储器的制造方法，所述Cux0电阻存储薄膜是通过等离子氧化、热氧化、化学氧化、溅射的方法之一形成。
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