[发明专利]检测测试机台测量稳定性的方法有效
| 申请号： | 200810042737.4 | 申请日： | 2008-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101673659A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 张振华;方明海;吕秋玲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 检测 测试 机台 测量 稳定性 方法 | ||
1.一种检测测试机台测量稳定性的方法，其特征在于包括下列步骤：
提供表面依次形成有氧化层和金属层的控片；
对所述金属层进行退火和研磨处理；
在所述金属层上沉积抗氧化层；
利用测试机台对所述控片的金属层厚度进行一次以上测量；
根据测量所得的一个以上金属层厚度值判断所述测试机台测量的稳定性。
2.根据权利要求1所述的检测测试机台测量稳定性的方法，其特征在于所述抗氧化层的厚度为100埃～500埃。
3.根据权利要求1所述的检测测试机台测量稳定性的方法，其特征在于所述抗氧化层成分为氮化硅。
4.根据权利要求1所述的检测测试机台测量稳定性的方法，其特征在于所述氧化层的厚度为1000埃～4000埃。
5.根据权利要求1所述的检测测试机台测量稳定性的方法，其特征在于所述金属层的厚度为1000埃～10000埃。
6.根据权利要求1所述的检测测试机台测量稳定性的方法，其特征在于所述金属层为铜金属层。
7.根据权利要求1所述的检测测试机台测量稳定性的方法，其特征在于所述退火处理的温度为200摄氏度，处理时间为90秒。
8.根据权利要求1所述的检测测试机台测量稳定性的方法，其特征在于判断所述测试机台测量的稳定性的步骤为对测量所得的金属层的一个以上的厚度值进行计算得出标准偏差值，然后根据所述标准偏差值判断所述测试机台测量的稳定性。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
