[发明专利]吸收光和荧光光谱复合检测器

权利要求书

1、吸收光和荧光光谱复合检测器，包括辐射光源、比色皿和微处理器，其特征在于：还包括位置互为九十度且与所述微处理器相连的吸收光传感器模块和荧光传感器模块，所述微处理器通过脉冲驱动电路与所述辐射光源相连，所述比色皿与所述辐射光源、吸收光传感器模块和荧光传感器模块之间分别设有聚焦镜；

所述微处理器，用于设定且输出分别产生吸收光、荧光的脉冲时间间隔和脉冲强度的控制指令；

所述脉冲驱动电路，用于根据所述微处理器的控制指令，使所述辐射光源在不同的脉冲时间中选择不同的光波长和光强度输出；

所述吸收光传感器模块，包括与吸收光传感器相连的放大电路，用于根据所述微处理器的控制指令，在吸收光的脉冲时间中将吸收光信号转换成电信号输出到所述微处理器；

所述荧光传感器模块，包括与荧光传感器相连的放大电路，用于根据所述微处理器的控制指令，在荧光的脉冲时间中将荧光信号转换成电信号输出到所述微处理器。

2、根据权利要求1所述的吸收光和荧光光谱复合检测器，其特征在于：所述脉冲驱动电路包括开关控制电路和电流控制电路；所述开关控制电路中场效应管的输入端与所述微处理器相连，输出端与所述辐射光源相连；所述电流控制电路由与所述微处理器相连的场效应管及其外围电路构成。

3、根据权利要求1所述的吸收光和荧光光谱复合检测器，其特征在于：在所述聚焦镜与所述吸收光传感器之间设有光分离器。

4、根据权利要求1所述的吸收光和荧光光谱复合检测器，其特征在于：在所述聚焦镜与所述荧光传感器之间设有光分离器。

5、根据权利要求1所述的吸收光和荧光光谱复合检测器，其特征在于：所述吸收光传感器为PiN光敏二极管、光电耦合阵列传感器、光敏二极管阵列或光电真空管。

6、根据权利要求1所述吸收光和荧光光谱复合检测器，其特征在于：所述荧光传感器为PiN光敏二极管、光电耦合阵列传感器、光敏二极管阵列或光电真空管。

7、根据权利要求3或4所述的吸收光和荧光光谱复合检测器，其特征在于：所述光分离器为滤波器、光栅或单色器。

8、根据权利要求5或6所述的吸收光和荧光光谱复合检测器，其特征在于：所述光电真空管为光电倍增管。

9、根据权利要求1～4之一所述的吸收光和荧光光谱复合检测器，其特征在于：还包括通过RS232接口与所述微处理器相连的PC机。

10、根据权利要求1～4之一所述的吸收光和荧光光谱复合检测器，其特征在于：所述辐射光源为单一光或一组混合光谱的辐射光源。

11、根据权利要求10所述的吸收光和荧光光谱复合检测器，其特征在于：所述辐射光源为两种或两种光谱以上的半导体发光二极管或半导体激光器。

12、根据权利要求11所述的吸收光和荧光光谱复合检测器，其特征在于：所述半导体发光二极管为共振腔发光二极管。

13、根据权利要求10所述的吸收光和荧光光谱复合检测器，其特征在于：所述辐射光源的波长范围是指400～1200nm。

14、根据权利要求1～4之一所述的吸收光和荧光光谱复合检测器，其特征在于：所述比色皿为流动体比色皿。