[发明专利]干法刻蚀小开口密度结构监控刻蚀终点的方法有效
| 申请号： | 200810043264.X | 申请日： | 2008-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN101562121A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 吕煜坤;孙娟 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 开口 密度 结构 监控 终点 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种干法刻蚀小开口密度结构监控刻蚀终点的方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)通过在非器件区增加至少一个监控结构增大开口密度；所述小开口密度结构中刻蚀层的膜质与刻蚀底层的膜质相同，所述监控结构的膜质与刻蚀层的膜质不同；
(2)采用等离子刻蚀方法监控终点。
2.如权利要求1所述的干法刻蚀小开口密度结构监控刻蚀终点的方法，其特征在于，所述的刻蚀层为多晶硅，所述的监控结构为硅局部氧化隔离区。
3.如权利要求1到2任一项所述的干法刻蚀小开口密度结构监控刻蚀终点的方法，其特征在于，步骤(1)所述的增大开口密度是指开口密度增大到3％以上。
4.如权利要求3所述的干法刻蚀小开口密度结构监控刻蚀终点的方法，其特征在于，所述监控结构在平面上为方块图形。
5.如权利要求4所述的干法刻蚀小开口密度结构监控刻蚀终点的方法，其特征在于，所述方块图形为一个整块方块。
6.如权利要求4所述的干法刻蚀小开口密度结构监控刻蚀终点的方法，其特征在于，所述方块图形为多个方块排列组合而成的图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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