[发明专利]真姬菇工厂化生产液体菌种培养基及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200810043506.5 申请日: 2008-06-13
公开(公告)号: CN101293791A 公开(公告)日: 2008-10-29
发明(设计)人: 王桂金;张引芳;朱爱莲 申请(专利权)人: 上海浦东天厨菇业有限公司
主分类号: C05G1/00 分类号: C05G1/00;A01G1/04
代理公司: 上海浦东良风专利代理有限责任公司 代理人: 陈志良
地址: 201203*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 真姬菇 工厂 化生 液体 菌种 培养基 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种食用菌的培养基及其制备方法,特别涉及一种真姬菇工厂化生产液体菌种培养基及其制备方法。

背景技术

食用菌液体培养基可分为天然培养基、半合成培养基、合成培养基。优良的培养基应具备菌丝生长快、发酵周期短;培养基成本低、来源广泛等优点。与工业上其它微生物一样,真姬菇要在液体发酵条件下能够正常生长代谢,设定合理的培养基是一个重要的环节。用于真姬菇液体发酵的培养基以天然培养基为好,氮源应以有机氮源为主。而目前用于食用菌液体培养的培养基多数为实验室实验用培养基,这类培养基多以酵母膏、蛋白胨等作为氮源,葡萄糖等单糖作为碳源,成本较高,从经济角度来看,显然不适合用于工厂化大生产。当然现在也有一些廉价原料的培养基配方,但这类配方是以马铃薯、麸皮等原材料的煮出液作为培养基,操作工艺比较复杂、营养也不够丰富,还是不适应工厂化生产的需求。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是:提供一种成本低、营养丰富、制备工艺简单的真姬菇工厂化生产液体菌种培养基及其制备方法。

本发明是这样来实现的:

一种真姬菇工厂化生产液体菌种培养基,每升培养基中各组份的含量为:黄豆粕粉2~5g、玉米粉2~5g、蔗糖20~30g、硫酸镁0.3~1g、磷酸二氢钾0.5~2g、消泡剂0.1~0.5ml。

每升培养基中各组份的含量为:黄豆粕粉3g、玉米粉3g、蔗糖30g、硫酸镁0.5g、磷酸二氢钾1.0g、消泡剂0.1ml。

每升培养基中各组份的含量为:黄豆粕粉5g、玉米粉5g、蔗糖20g、硫酸镁0.5g、磷酸二氢钾1.0g、消泡剂0.3ml。

真姬菇工厂化生产液体菌种培养基的制备方法:

1)按每升培养基中含有的组份含量称取蔗糖20~30g、硫酸镁0.3~1g、和磷酸二氢钾0.5~2g,充分混匀,加入沸水充分搅拌,直至完全溶解;

2)按每升培养基中含有的组份含量称取黄豆粕粉2~5g和玉米粉2~5g,加入冷水搅拌溶解后去除泡沫;

3)将步骤(1)、(2)分别制得的溶液充分混匀制成混合液;

4)用盐酸调整步骤(3)制得的混合液pH值,然后加入每升培养基中含有0.1~0.5ml的消泡剂;

5)将制得的混合液分装在三角瓶中,在高压蒸汽下灭菌。

将所述步骤(3)制得的混合液加入发酵罐中,密封后,推入杀菌锅中灭菌,冷却后备用。

用盐酸将步骤(3)制得的混合液pH值调整至6.0~6.2。

所述高压蒸汽灭菌的温度为120~122℃、压力为1.05~1.2Kg/cm2,时间为30~120分钟。

本发明的有益效果是:

本发明的原料来源丰富,价格低廉;且培养基质简单易得,制备工艺操作简单,适用于工厂化、标准化操作,培养出的真姬菇菌丝体生长快、活力强,接种后的菌种萌发率好、发酵周期短、成品率高。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明作进一步说明。

实施例1:

称取蔗糖30g/L、硫酸镁0.5g/L、磷酸二氢钾1.0g/L充分混匀,加入适量沸水充分搅拌直至完全溶解;称取黄豆粕粉3g/L和玉米粉3g/L加入适量冷水搅拌溶解,去除泡沫,与上述制得的溶液充分混匀制成混合液,定容至所需体积,然后用盐酸调整其pH值至6.0~6.2,加入0.1ml消泡剂,分装至三角瓶中,瓶口塞好棉塞,在121℃的高压蒸汽下灭菌30分钟,即可制得本发明产品真姬菇液体菌种培养基。配制好的培养基每升含有:黄豆粕粉3g、玉米粉3g、蔗糖30g、硫酸镁0.5g、磷酸二氢钾1.0g、消泡剂0.1ml,适合真姬菇液体菌种的培养。

实施例2:

称取蔗糖20g/L、硫酸镁0.5g/L、磷酸二氢钾1.0g/L,充分混匀,加入适量沸水充分搅拌直至完全溶解;称取豆粕粉5g/L和玉米粉5g/L,加入适量冷水搅拌溶解,去除泡沫,与上述制得的溶液充分混匀制成混合液,加入发酵罐中并定容至所需的体积,用盐酸调整其pH值至6.0~6.2,加入0.3ml消泡剂,密封好发酵罐后,推入杀菌锅中灭菌,在121℃的高压蒸汽下灭菌90分钟,冷却后备用。即可制得本发明产品适合真姬菇液体菌种的工厂化生产的培养基,配制好的培养基每升含有:黄豆粕粉5g、玉米粉5g、蔗糖20g、硫酸镁0.5g、磷酸二氢钾1.0g、消泡剂0.3ml。

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