[发明专利]掩模板无效
申请号: | 200810043706.0 | 申请日: | 2008-08-12 |
公开(公告)号: | CN101650525A | 公开(公告)日: | 2010-02-17 |
发明(设计)人: | 蒋顺;常曙光;马骏;袁剑峰;王志鹏;荆常营 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;H01L21/84 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201201上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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1.一种掩模板,其上设置两个或两个以上不同的掩模图形,其中,所述两个或两个以上不同的掩模图形为用于同一液晶显示面板产品的不同工序的掩模图形。
2.根据权利要求1所述的掩模板,其中,所述掩模图形包括形成液晶显示面板的阵列基板上的栅极和栅极线的掩模图形。
3.根据权利要求1所述的掩模板,其中,所述掩模图形包括形成液晶显示面板的阵列基板上的硅岛层的掩模图形。
4.根据权利要求1所述的掩模板,其中,所述掩模图形包括形成液晶显示面板的阵列基板上的源极和漏极的掩模图形。
5.根据权利要求1所述的掩模板,其中,所述掩模图形包括形成液晶显示面板的阵列基板上的过孔的掩模图形。
6.根据权利要求1所述的掩模板,其中,所述掩模图形包括形成液晶显示面板的阵列基板上的像素电极的掩模图形。
7.一种掩模板,其上设置两个或两个以上不同的掩模图形,其中,所述两个或两个以上不同的掩模图形用于形成同一液晶显示面板产品的所有图案化层。
8.根据权利要求7所述的掩模板,其中,所述图案化层包括栅极和栅极线层、硅岛层及像素电极层。
9.根据权利要求8所述的掩模板,其中,所述图案化层进一步包括源极和漏极层。
10.根据权利要求9所述的掩模板,其中,所述图案化层进一步包括钝化层。
11.一种制造液晶显示面板的方法,包括通过掩模板形成阵列基板上不同层图案化层的步骤,其中,该掩模板上设置两个或两个以上不同的掩模图形,且所述两个或两个以上不同的掩模图形用于形成同一液晶显示面板产品的所有图案化层,其中,所述形成阵列基板上不同层图案化层的步骤包括使用同一掩模板形成所有图案化层的步骤。
12.根据权利要求11所述的制造液晶显示面板的方法,其中,所述使用同一掩模板形成所有图案化层的步骤包括:
使用该掩模板形成阵列基板上的栅极和栅极线图案化层的步骤;
使用该掩掩模板形成阵列基板上的硅岛层图案化层的步骤;以及
使用该掩模板形成阵列基板上的像素电极图案化层的步骤。
13.根据权利要求12所述的制造液晶显示面板的方法,其中,所述使用同一掩模板形成所有图案化层的步骤包括:使用该掩模板形成阵列基板上的源极和漏极图案化层的步骤。
14.根据权利要求13所述的制造液晶显示面板的方法,其中,所述使用同一掩模板形成所有图案化层的步骤包括:使用该掩模板形成阵列基板上的过孔图案化层的步骤。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备