[发明专利]源漏注入结构的制备方法

权利要求书

1.一种源漏注入结构的制备方法，所述源漏注入结构包括源漏注入区 和轻掺杂漏区，其特征在于，在硅衬底上形成所述半导体器件的栅极之后， 包括如下步骤：

1)在所述硅衬底表面上淀积一层氧化硅，作为离子注入时的保护层；

2)在所述氧化硅上涂光刻胶，用低剂量离子注入区的光刻掩膜版曝光 显影，曝出需进行低剂量离子注入的区域，以显影后的光刻胶图形为掩膜， 进行离子注入形成轻掺杂漏区；

3)对硅片进行烘烤，使光刻胶图形开口缩小至预定的数值范围；

4)利用开口尺寸缩小后的光刻胶图形为掩膜，进行源漏离子注入，形 成源漏注入区；

5)去除光刻胶并清洗。

2.按照权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中的光 刻胶是I线光刻胶或KrF光刻胶，所述光刻胶由酮类，醚类，烷烃类有机溶剂 和感光交联树脂构成，分子量在85000～150000之间，每次填涂剂量为1.5～ 5ml，涂布1～3次，光刻胶层的厚度为所述步骤3)中烘烤 的温度范围为60℃～250℃，烘烤时间为10s～120s。