[发明专利]一种刻蚀10μm以上介质层的方法

权利要求书

1.一种刻蚀10μm以上介质层的方法，其特征是：所述方法包括如下步骤：

第1步，在介质层上涂光刻胶，曝光显影后去除介质层的刻蚀窗口上方的光刻胶，保留其余部分的光刻胶；

第2步，以各向异性刻蚀工艺刻蚀介质层，在刻蚀窗口刻蚀掉1/5～1/3厚度的介质层；

第3步，以各向同性刻蚀工艺刻蚀介质层，在刻蚀窗口进一步刻蚀掉1/3～3/5厚度的介质层；

第4步，去除光刻胶和聚合物；

第5步，在介质层上涂光刻胶，曝光显影后去除介质层的刻蚀窗口上方的光刻胶，保留其余部分的光刻胶；

第6步，以各向异性刻蚀工艺刻蚀介质层，在刻蚀窗口再进一步刻蚀掉1/5～1/3厚度的介质层，直至露出介质层的下一层；

第7步，去除光刻胶和聚合物。

2.根据权利要求1所述的刻蚀10μm以上介质层的方法，其特征是：所述方法的第1步和第5步中，采用同样的掩膜版。

3.根据权利要求1所述的刻蚀10μm以上介质层的方法，其特征是：所述方法的第2步中，在刻蚀窗口刻蚀掉1/3厚度的介质层；

所述方法的第3步中，在刻蚀窗口进一步刻蚀掉1/3厚度的介质层；

所述方法的第6步中，在刻蚀窗口再进一步刻蚀掉1/3厚度的介质层。

4.根据权利要求1所述的刻蚀10μm以上介质层的方法，其特征是：所述方法的第2步中，刻蚀图形的刻蚀剖面的侧壁与底部成90～105度夹角。

5.根据权利要求1所述的刻蚀10μm以上介质层的方法，其特征是：所述方法的第3步中，刻蚀图形的刻蚀剖面具有圆弧状侧壁。

6.根据权利要求1所述的刻蚀10μm以上介质层的方法，其特征是：所述方法的第6步中，刻蚀图形的刻蚀剖面的侧壁上部为圆弧状，侧壁下部与底部成90～105度夹角。

7.根据权利要求1所述的刻蚀10μm以上介质层的方法，其特征是：所述各向异性刻蚀工艺采用干法等离子体刻蚀。

8.根据权利要求1所述的刻蚀10μm以上介质层的方法，其特征是：所述各向同性刻蚀工艺采用湿法化学腐蚀或干法等离子体刻蚀。

9.根据权利要求1所述的刻蚀10μm以上介质层的方法，其特征是：所述介质层为氧化硅、氮化硅或氧化氮化硅。