[发明专利]MOSFET失配模型的建立及仿真方法

权利要求书

1.一种MOSFET失配模型的建立及仿真方法，采用BSIM3模型为基础， 其特征在于，分为以下步骤：

第一步，利用统计原理建立模型参数随机误差统计表达式；

与器件的沟道区二维面积成反比的工艺参数的误差表达式为 σΔq2=s1,q2WL;]]>

与器件沟道的一维长或宽成反比的工艺参数的误差表达式为 σΔL2=S1,P2W,]]>σΔW2=S2,P2L;]]>

其中S_1，q代表面积修正系数，S_1，p代表长度修正系数，S_2，p代表宽度修正 系数，L代表栅宽，W代表栅长；

第二步，根据模型参数随机误差统计表达式的物理定义，分别在BSIM3 模型中选择具有针对性的模型参数，并对其添加统计表达式修正项；

第三步，建立对应的SPICE宏模型；

第四步，定义修正系数的初始值；

第五步，将所述修正系数的初始值代入失配模型中，调试和仿真模型 参数。