[发明专利]精确控制线宽的浅槽隔离工艺

权利要求书

1.一种精确控制线宽的浅槽隔离工艺，该方法包括如下步骤：

第1步，在硅片表面涂光刻胶，曝光显影后露出刻蚀窗口；

第2步，测量刻蚀窗口之间的线宽；

第3步，采用各向异性刻蚀工艺在刻蚀窗口刻蚀氮化硅、氧化硅和部分硅；

第4步，干法等离子体去除光刻胶；

第5步，湿法化学剥离光刻胶；

第6步，测量浅槽隔离结构之间的线宽；

其特征是：在第3步和第4步之间增加一步：采用各向同性刻蚀工艺在刻蚀窗口刻蚀氮化硅、氧化硅和部分硅，刻蚀时间其中a1为所述方法第2步测量的刻蚀窗口之间的线宽，Δa为之前浅槽隔离工艺测量的刻蚀线宽损失量，a3为浅槽隔离结构之间的线宽的目标值，c为各向同性刻蚀的横向刻蚀速率。

2.根据权利要求1所述的精确控制线宽的浅槽隔离工艺，其特征是：所述增加的各向同性刻蚀步骤，反应腔的压力为5～20mT，上部电源功率为800～1500w，偏转功率为0～10w，通入氟碳化合物气体流量为50～250sccm，通入氩气为50～150sccm。