[发明专利]使用耗尽型晶体管的开路检测器及其使用方法有效
| 申请号： | 200810043958.3 | 申请日： | 2008-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101738559A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 古炯钧;王楠;周平 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/02 | 分类号： | G01R31/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 耗尽 晶体管 开路 检测器 及其 使用方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种使用耗尽型晶体管的开路检测器；其特征在于，包括：
电压泵模块，电压泵模块连接耗尽型PMOS管的栅极和漏极，电压泵 模块用于输出一个高于芯片基准电压VDD的电平；
耗尽型PMOS管的栅极连接有开路检测模块，开路检测模块连接基准 电压VDD；
耗尽型PMOS管的源极连接开路检测模块。
2.如权利要求1所述的使用耗尽型晶体管的开路检测器的使用方 法；其特征在于，包括：
当在芯片地与外部地连接时，所述耗尽型PMOS管处于关断状态，开 路检测模块保持关断；
当芯片的地与外部的地断开时，电压泵停止工作，开路检测模块把电 压泵上的电位下拉到基准电压VDD，此时耗尽型PMOS管打开，把芯片的 输出接至VDD，超过芯片正常输出电压，判断出此时芯片处于开路状态。
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