[发明专利]光刻版图及其测量光刻形变的方法有效

专利信息
申请号: 200810044053.8 申请日: 2008-12-04
公开(公告)号: CN101750899A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 陈福成;阚欢;吴鹏 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F1/00
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 丁纪铁
地址: 201206 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 光刻 版图 及其 测量 形变 方法
【权利要求书】:

1.一种光刻版图,包括曝光单元,其特征在于:所述曝光单元的四个边分别设置有一个切割道,各切割道呈风车形排列;各切割道的末端设有一旋转标记,旋转标记与所述曝光单元的中心对齐;所述四个旋转标记为两种,一种为框形,另一种为矩形;或者所述四个旋转标记为两种,一种为正方形方框,另一种为正方形。

2.根据权利要求1所述的光刻版图,其特征在于:所述两种旋转标记,一种旋转标记的边长为30微米,边框宽度为5微米;另一种旋转标记的边长为10微米。

3.根据权利要求1所述的光刻版图,其特征在于:所述切割道的宽度在100微米至20微米之间。

4.根据权利要求1或3所述的光刻版图,其特征在于:所述切割道的长度为曝光单元边长的一半。

5.一种采用权利要求1所述的光刻版图测量光刻形变的方法,其特征在于:将所述两张光刻版图叠加,并使一张光刻版图上的一种旋转标记与另一张光刻版图上的另一种旋转标记叠加,分别测量两种旋转标记叠加后的图形中横向和纵向的距离。

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