[发明专利]具有自对准接触孔的表面沟道PMOS器件及制作方法

权利要求书

1.一种具有自对准接触孔的表面沟道PMOS器件制作方法，包括如下 步骤：在P型衬底上形成场氧，所述场氧隔离出有源区，在所述P型衬底 上依次形成N阱和栅氧化层；在所述栅氧化层上淀积多晶硅栅层，形成至 少两个栅极；其特征在于：还包括如下步骤：

在所述多晶硅栅上依次淀积氮化硅栅覆盖层和氧化硅栅覆盖层，且使 氧化硅栅覆盖层的厚度大于氮化硅栅覆盖层的厚度；

刻蚀所述多晶硅栅层和两层栅覆盖层，形成所需要的形貌；

在所述栅氧化层的上表面淀积一层氮化硅，覆盖栅氧化层、多晶硅栅 层和两层栅覆盖层，对所述氮化硅层进行光刻及刻蚀，形成氮化硅侧墙；

利用有源区的反版光刻，保护所述场氧；采用湿法腐蚀去除氧化硅栅 覆盖层，暴露出所述的氮化硅栅覆盖层，形成侧墙高于栅极的结构；

进行PMOS晶体管的源漏硼离子注入与退火，分别形成源区和漏区； 所述PMOS晶体管的源漏硼离子注入穿过氮化硅栅覆盖层，进入多晶硅栅 层，实现表面沟道的PMOS器件；

淀积层间介质膜；

进行PMOS晶体管栅极接触孔的刻蚀；

在两个栅极之间的层间介质膜上涂敷光刻胶，曝光显影形成自对准接 触孔图案，通过刻蚀形成自对准接触孔。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述氮化硅栅覆盖层的 厚度范围为所述氧化硅薄膜厚度范围为

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述自对准接触孔的刻 蚀停止在氮化硅侧墙或氮化硅栅覆盖层上，实现接触孔与多晶硅栅之间的 隔离。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述PMOS晶体管源漏硼 离子注入在穿透氮化硅栅覆盖层后，进入栅极的硼离子浓度低于PMOS源 漏区域的浓度。

5.一种具有自对准接触孔的表面沟道PMOS器件，包括：

一P型衬底，依次位于该P型衬底上的N阱和栅氧化层；

在所述栅氧化层上形成的至少两个栅极，位于栅极两侧的氮化硅侧 墙；其特征在于：所述氮化硅侧墙高于栅极；通过PMOS晶体管的源漏硼 离子注入与退火分别形成的源区和漏区，所述PMOS晶体管的源漏硼离子 注入穿过氮化硅栅覆盖层，进入多晶硅栅层，形成表面沟道PMOS器件； 通过刻蚀形成的PMOS晶体管栅极接触孔以及位于两个栅极之间的自对准 接触孔。